ProduktübersichtDie Avalanche-Photodiode aus Silizium C30902BH von Excelitas ist eine großflächige, hochfrequente Reach-Through-APD, die hohe Empfindlichkeit bei niedrigem Rauschen bietet. Sie ist für Anwendungen bei schwachem Licht konzipiert, die typische Verstärkungen größer als 100 erfordern, und wird in mehreren TO-18-Gehäusevarianten angeboten, darunter Flachglas, Kugellinse, Lichtleiter und 905-nm-Filter. Die C30902BH ist mit einer doppelt diffundierten „reach-through“-Struktur gefertigt, die hohe Empfindlichkeit im Bereich von 400 nm bis 1000 nm sowie extrem schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über das gesamte Wellenlängenspektrum liefert. Die Empfindlichkeit ist bis typ. 800 MHz im Wesentlichen unabhängig von der Modulationsfrequenz. Der Detektorchip ist hermetisch hinter einem Flachglasfenster in einem modifizierten TO-18-Gehäuse versiegelt. Der nutzbare Durchmesser der lichtempfindlichen Fläche beträgt 0,5 mm. Zur C30902-Familie gehört auch eine SPAD-Variante für Einzelfotonendetektion, die im Geiger-Modus und im linearen Modus mit deutlich höheren Verstärkungen betrieben werden kann.
Merkmale & Vorteile- 0,5 mm Si-APD im TO-18-Gehäuse
- Hoher quantenwirkungsgrad – 84 % typ. bei 800 nm
- Niedriges Rauschen bei Raumtemperatur
- Hohe Empfindlichkeit – interne Avalanche-Verstärkungen >150
- Spektraler Ansprechbereich – 400 bis 1100 nm
- Zeitverhalten – typ. 0,4 ns
- Weites Betriebstemperaturbereich -40°C bis +85°C
Anwendungen- LiDAR / ToF-Messungen
- Optischer Zeitbereichs-Reflektometer (OTDR)
- Kleinsignal-Fluoreszenz
- Laserscanning
Technische Spezifikationen- Aktive Fläche: 0,2 mm²
- Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
- Durchbruchspannung: typ. 225 V
- Kapazität: 1,5 pF
- Temperaturkoeffizient: typ. 0,7 V/°C
- Dunkelstrom: 7 nA
- Dunkelrauschen: 0,1 pA/√Hz
- Noise Equivalent Power: 1,23 fW/√Hz
- Typische Empfindlichkeit: 80 A/W bei 800 nm
- Empfohlene Verstärkung: 150
- Gehäuse: TO-18, Kugellinse