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Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30902SH-TC

Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30902SH-TC - Excelitas Technologies - PCO
Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30902SH-TC - Excelitas Technologies - PCO
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Beschreibung

Produktübersicht
Die Avalanche-Photodioden (Si APD) Excelitas C30902SH sind großflächige, schnell ansprechende Silizium-APDs mit hoher Responsivität und geringem Rauschen. Sie sind für den Betrieb im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Einzelfotonendetektion oder im Linearmodus (VOP < VBD) mit Verstärkungen bis zu 250 ausgelegt. Der C30902SH-TC ist für Ultra-Niedriglicht-Anwendungen (optische Leistungen < 1 pW) konzipiert und erreicht im Geiger-Modus Einzelphoton-Detektionswahrscheinlichkeiten von bis zu ca. 50 %. Optional sind integrierte thermoelektrische Kühler (ein- oder zweistufig) für reduzierte Dunkelraten und höhere Stabilität verfügbar.

Merkmale & Vorteile
  • 0,5 mm Si APD im TO-66 Flanschgehäuse
  • Hoher Quanteneffizienz — typ. 84 % bei 800 nm
  • Extrem geringes Rauschen bei 0 °C
  • Hohe Responsivität — interne Avalanche-Verstärkungen > 250
  • Spektraler Bereich: 400 nm – 1100 nm
  • Zeitantwort — typ. 0,4 ns
  • Großer Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +85 °C
  • Option integrierter TE-Kühler (Suffix „-TC“ für single-stage)


Wesentliche Leistungsmerkmale
Einsetzbar im Linearmodus bei typischen Verstärkungen ≈ 250 oder mehr. Im Geiger-Modus zeigt das Bauteil niedrige, stabile Dunkelraten und geringe Nachpulser; in diesem Modus ist für die Einzelfotonendetektion häufig keine externe Verstärkung erforderlich.

Anwendungen
  • LiDAR / Time-of-Flight (ToF)-Systeme
  • Quantenkommunikation und Forschung
  • Photonenzählung / Einzelfotonendetektion
  • Optische Zeitbereichsreflektometrie (OTDR)
  • Laser-Scanning und Distanzmessung


Technische Daten / Spezifikationen
  • Aktive Fläche: 0,2 mm²
  • Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
  • Durchbruchspannung: typ. 225 V
  • Kapazität: typ. 1,5 pF
  • Temperaturkoeffizient: typ. 0,7 V/°C
  • Dunkelstrom: 2 nA
  • Dunkelrauschen: 0,04 pA/√Hz
  • Rauschäquivalente Leistung: 0,29 fW/√Hz
  • Typische Responsivität: 135 A/W bei 800 nm
  • Empfohlene Verstärkung: 250
  • Gehäuse: TO-66 Flansch

Kataloge

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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