Silizium-Fotodiode C30737PH-230-80N

LIDARAvalanche

Übersicht Die Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si-APD) C30737PH-230-80N bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm und eine verbesserte Empfindlichkeit bei 800 nm in einem T 1¾-Durchsteckgehäuse aus Kunststoff. Hauptmerkmale

• Hohe Empfindlichkeit zwischen 500 und 1000 nm
• Geringes Rauschen und extrem schnelle Anstiegszeit bei allen Wellenlängen mit einem Frequenzgang über 1,5 GHz
• Aktiver Durchmesser von 230 μm und optimiert für eine Spitzenempfindlichkeit bei 800 nm
• Kunststoffgehäuse T1¾, Option „PH“

Anwendungen

• LiDAR
• Laser-Entfernungsmessung
• Sicherheitsscans
• Anwendungen, die einen kostengünstigen, leistungsstarken Detektor erfordern

Technische Daten (Tabelle) Aktiver Durchmesser: 230 μm Wellenlänge der Spitzenempfindlichkeit: 800 nm Durchbruchspannung Vbd: 120–210 (Binning verfügbar) Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C Verstärkung: 100 bei 800 nm Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm Dunkelstrom Id: 0,05 < 0,5 nA Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz Kapazität: 1 pF Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns bei R = 50 Ω Grenzfrequenz: 1,5 GHz Lagertemperatur: -50 °C bis +100 °C Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C Gehäuse: Kunststoff T 1-3/4, Durchsteckmontage Technische Daten / Spezifikationen

• Aktiver Durchmesser: 230 μm
• Wellenlänge mit maximaler Empfindlichkeit: 800 nm
• Durchbruchspannung Vbd: 120–210 (Binning verfügbar)
• Temperaturkoeffizient von Vop bei konstantem M: 0,5 V/°C
• Verstärkung: 100 bei 800 nm
• Empfindlichkeit: 50 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom Id: 0,05 < 0,5 nA
• Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
• Kapazität: 1 pF
• Anstiegs-/Abfallzeit: 0,2 ns (R-Last = 50 Ω)
• Grenzfrequenz: 1,5 GHz
• Lagertemperatur: -50 °C bis +100 °C
• Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
• Gehäuse: Kunststoff T 1-3/4, Durchsteckmontage