Silizium-Fotodiode

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Übersicht
Unsere schnell ansprechenden Silizium-Fotodioden bieten eine geringe Übergangskapazität zur Erzielung kurzer Ansprechzeiten. Sie können unter Sperrspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen, oder im photovoltaischen Modus eingesetzt werden, wenn die Geschwindigkeit nicht kritisch ist. Mit ausgezeichneter Empfindlichkeit im IR-Spektralbereich sind diese Bauteile gut auf die Infrared LED VTE Serie von Excelitas abgestimmt.

Produktfamilie

• VTP1232FH - Si PD, T1 3/4 Flat, 2.326 mm2: Der VTP1232FH ist eine Silizium-Fotodiode in einem klaren, frontseitigen T1¾-Flachgehäuse. Diese Fotodiode bietet eine verbesserte Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Bereich sowie sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom und geringe Kapazität.
• VTP1232H - Si PD, T1 3/4 Lensed, 2.326 mm2: Der VTP1232H ist eine Silizium-Fotodiode in einem klaren, frontseitigen T1¾-Gehäuse mit Linse. Der VTP1232H bietet eine verbesserte Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Bereich sowie sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom und geringe Kapazität.
• VTP3310LAH - Si PD, T1 Lensed, 0.684 mm2: Der VTP3310LAH ist eine Silizium-Fotodiode in einem klaren, frontseitigen langen T1-Gehäuse mit Linse. Diese Fotodiode bietet eine verbesserte Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Bereich sowie sehr hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom und geringe Kapazität.
• VTP4085H - Si PD, Ceramic, 21mm2: Der VTP4085H ist eine Silizium-Fotodiode auf keramischem Substrat mit Epoxidbeschichtung, die eine schnelle Ansprechzeit und niedrigen Dunkelstrom liefert.
• VTP8440H - Si PD, Ceramic, 5.16 mm2: Der VTP8440H ist eine Silizium-Fotodiode auf 8 mm Keramiksubstrat mit Epoxidbeschichtung. Mit einem weiten Sichtfeld liefert diese Fotodiode eine schnelle Ansprechzeit und niedrigen Dunkelstrom.

Dokumentation

• Excelitas VTP Photodiodes General Characteristics (PDF)
• Excelitas Fast-Response Silicon Photodiodes Application Note (PDF)

Technische Merkmale / Spezifikationen

• Niedrige Übergangskapazität für schnelle Ansprechzeiten
• Kann unter Sperrspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit zu erhöhen
• Kann im photovoltaischen Modus verwendet werden, wenn die Geschwindigkeit nicht kritisch ist
• Verbesserte Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich; ausgezeichnete IR-Empfindlichkeit
• Gut abgestimmt auf die Infrared LED VTE Serie von Excelitas
• Hoher Shuntwiderstand und niedriger Dunkelstrom
• Niedrige Kapazität über die verfügbaren Gehäusetypen hinweg erhalten
• Verfügbare Gehäuse: T1 3/4 flach, T1 3/4 mit Linse, langer T1 mit Linse, keramisches Substrat mit Epoxidbeschichtung
• Typische aktive Flächenbeispiele aus der Familie: 2.326 mm2, 0.684 mm2, 21 mm2, 5.16 mm2