Lawinenfotodioden-Modul (APD) LLAM-1060E-R8BH

Produktübersicht
Der LLAM-1060E-R8BH ist ein Hochgeschwindigkeits‑APD‑(Lawinenphotodioden)‑Empfängermodul für niedrige Lichtpegel mit einer Silizium (Si) APD bei 1060 nm, einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm und einer Bandbreite von 200 MHz. Ein thermoelektrischer Kühler stabilisiert die Detektortemperatur zur Rauschreduzierung und gleichbleibenden Empfindlichkeit.

Serienbeschreibung
Die LLAM‑Serie integriert eine APD‑Chip, einen thermoelektrischen (TE) Kühler und einen Vorverstärker in einem hermetisch dichten, modifizierten 12‑poligen TO‑66 Flanschgehäuse. Vollständig RoHS‑konform bietet das Modul zusätzliche Wärmeableitungsoptionen und eine einfache Montage. Die TE‑Kühlung gewährleistet geringeres Rauschen und stabile Empfindlichkeit im Umgebungstemperaturbereich von 5°C bis 40°C. Die LLAM‑Module sind für die Detektion von hochfrequenten, schwach leuchtenden analogen Signalen ausgelegt. Die Excelitas InGaAs LLAM‑1060E und ‑1550E Vorverstärkermodule weisen verbesserte Beschädigungsgrenzen auf, wodurch sie resistenter gegenüber hohen optischen Leistungsdichten sind. Der LLAM-1060E-R8BH enthält die Excelitas C30954EH APD.

Anwendungen

• Laser-Entfernungsmessung
• Zielerkennung
• Distributed Temperature Sensing (DTS)
• Konfokale Mikroskopie
• Analytische Messtechnik
• Hochgeschwindigkeits-Freiraum-Optische Kommunikation

Leistungstabelle
30 — 90 fW/√Hz bei 830 nm
25 — 80 fW/√Hz bei 900 nm
50 — 150 fW/√Hz bei 1064 nm

Spezifikationen / Technische Merkmale

• Modell: LLAM-1060E-R8BH
• Detektortyp: Silizium (Si) Avalanche-Photodiode (APD), 1060 nm
• Enthaltene APD: Excelitas C30954EH
• Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
• Bandbreite: 200 MHz
• Gehäuse: modifizierte 12‑polige TO‑66 Flansch, hermetisch verschlossen
• Thermische Steuerung: Thermoelektrischer (TE) Kühler für niedrigeres Rauschen und stabile Empfindlichkeit bei 5°C bis 40°C
• Integrierter Vorverstärker enthalten
• RoHS‑konform
• Entwickelt zur Detektion von hochfrequenten, schwach leuchtenden analogen Signalen
• Verbesserte Beschädigungsgrenzen (bei InGaAs LLAM-1060E und -1550E Vorverstärkermodulen beobachtet)
• Beispiele für Rauschleistung: 90 fW/√Hz bei 830 nm; 80 fW/√Hz bei 900 nm; 150 fW/√Hz bei 1064 nm