ProduktübersichtDer C30956EH ist eine großflächige, langwellenoptimierte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 3 mm und hoher Quanten-Effizienz bei 1060 nm. In einem TO-8-Gehäuse ausgeführt, verwendet sie eine double-diffused "reach-through"-Struktur, um die Empfindlichkeit über 900 nm hinaus zu erweitern, ohne unerwünschte Eigenschaften einzuführen.
Eigenschaften & Vorteile- Aktiver Durchmesser 3 mm
- Hohe Quanten-Effizienz bei 1060 nm
- Schnelle Ansprechzeit
- Weiter Betriebstemperaturbereich
- Niedrige Kapazität
- Hermetisch verschlossene Gehäuse
- RoHS-konform
- TEC-Option verfügbar
Anwendungen- Entfernungsmessung
- LiDAR
- Erkennung von YAG-Lasern
Technische Daten- Empfindlichkeit: 45 A/W bei 900 nm
- Empfindlichkeit: 25 A/W bei 1050 nm
- Empfindlichkeit: 3,5 A/W bei 1150 nm