ProduktbeschreibungDer C30618L-350 ist eine schnelle InGaAs PIN-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm, untergebracht in einem keramischen SMD-Gehäuse mit Fenster. Sie bietet hohe Quanteneffizienz im Bereich 960 nm bis 1700 nm, niedrige Kapazität für erweiterte Bandbreite und hohen Shuntwiderstand für Empfindlichkeit, Linearität und Gleichmäßigkeit innerhalb von 2% über die aktive Fläche.
Anwendungen- Hochvolumige Consumer-Optoelektronik
- Telekommunikationsempfänger
- Instrumentierung und Messgeräte
- Hochgeschwindigkeits-Optikschalter
- Optische Zeitreferenz für Laserentfernungsmesser
- LiDAR-Systeme
Eigenschaften & Vorteile- Hohe Bandbreite bis zu 3,5 GHz
- Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
- Aktivdurchmesser: 350 µm
- Niedrige Kapazität (Typ. 4,0 pF)
- Kompaktes keramisches SMD-Gehäuse mit Fenster
- Anpassungen möglich (z. B. optische Filter)
- RoHS-konform
Technische Spezifikationen- Durchbruchspannung: 60 V
- Betriebsspannung: 5 V
- Kapazität: Typ. 4,0 pF
- Dunkelstrom: Typ. <1,0 nA
- Dunkelrauschen: Typ. <0,08 pA/√Hz
- Gehäuse: keramisches SMD mit Fenster
- Aktivdurchmesser: 350 µm
- Quanteneffizienz / spektraler Bereich: hohe QE von 960 nm bis 1700 nm
- Responsivität: Typ. 1,05 A/W @ 1550 nm
- Hohe Responsivität bei 1300 nm und 1550 nm
- Anstiegs-/Abfallzeit: Typ. 0,5 ns
- Hohe Bandbreite bis zu 3,5 GHz
- Hoher Shuntwiderstand für Empfindlichkeit, Linearität und Gleichmäßigkeit innerhalb von 2% über die aktive Fläche