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Lawinenfotodioden-Modul (APD) C30902SH-2

Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30902SH-2 - Excelitas Technologies - PCO
Lawinenfotodioden-Modul (APD) - C30902SH-2 - Excelitas Technologies - PCO
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Beschreibung

Produktübersicht Der C30902SH-2 ist ein Silizium-Avalanche-Photodioden (Si-APD) mit 0,5 mm aktivem Durchmesser im TO-18-Gehäuse mit flacher Fensterabdeckung. Entwickelt für Photonen-Zählung und Ultra-Schwachlichtdetektion, bietet er hohe Empfindlichkeit nahe 905 nm, niedrige Dunkelraten und optionale ein- oder zweistufige thermoelektrische Kühlung zur Verbesserung der Stabilität und Rauschleistung.

Merkmale & Vorteile
  • 0,5 mm Si-APD im TO-18-Gehäuse, Flachfenster
  • Hoher Quanteneffizienz– typ. 60 % bei 905 nm
  • Niedriges Dunkelrauschen und geringe Dunkelströme für Einzelphotonenempfindlichkeit
  • Interne Avalanche-Gewinne >250 (linearer Modus)
  • Spektrale Antwort: 860 nm – 960 nm
  • Schnelle Zeitantwort — typ. 0,4 ns
  • Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +85°C
  • Optionale integrierte Thermoelektrische Kühlung (ein- oder zweistufig)

Anwendungen
  • LiDAR / Time-of-Flight (ToF) Systeme
  • Quantenkommunikation und Quantenoptik
  • Photonenzählung und Einzelphotonendetektion
  • Optische Zeitbereichs-Reflektometrie (OTDR)
  • Laserscanning und Distanzmessung

Zusätzliche Details Das Bauteil kann im Geiger-Modus (VOP > VBD) betrieben werden, um Einzelphotonen mit sehr niedrigen und stabilen Dunkelzählraten sowie geringem Nachpulsen zu detektieren; in diesem Modus sind Verstärker möglicherweise nicht erforderlich. Im linearen Modus (VOP < VBD) sind typische Gewinne bis zu 250 erreichbar. Konzipiert für optische Leistungen unter 1 pW. Kühloptionen (TEC ein-/zweistufig) verfügbar, um Dunkelströme weiter zu reduzieren und die Zeitstabilität zu verbessern.

Technische Daten
  • Aktive Fläche: 0,2 mm²
  • Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
  • Durchbruchspannung: typ. 225 V
  • Kapazität: typ. 1,5 pF
  • Temperaturkoeffizient: typ. 0,7 V/°C
  • Dunkelstrom: 7 nA
  • Dunkelrauschen: 0,1 pA/√Hz
  • Noise Equivalent Power (NEP): 0,74 fW/√Hz
  • Typische Empfindlichkeit: 110 A/W bei 900 nm
  • Empfohlener Verstärkungsfaktor: 250
  • Gehäuse: TO-18, Flachfenster

Kataloge

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

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