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Silizium-Fotodiode VTB1012BH
wellenlängenempfindlichPIN

Silizium-Fotodiode - VTB1012BH - Excelitas Technologies - PCO - wellenlängenempfindlich / PIN
Silizium-Fotodiode - VTB1012BH - Excelitas Technologies - PCO - wellenlängenempfindlich / PIN
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Eigenschaften

Merkmal
Silizium, wellenlängenempfindlich
Installierung
PIN

Beschreibung

Produktübersicht
Der VTB1012BH ist eine Silizium-Photodiode im hermetischen TO-46-Gehäuse mit flacher Fensterabdeckung, einer aktiven Fläche von 1,6 mm² und integriertem IR-Sperrfilter, der die Empfindlichkeit auf den sichtbaren Bereich des Spektrums begrenzt. Er weist sehr hohen Shuntwiderstand und sehr niedrigen Dunkelstrom auf. Diese Photodioden sind primär für den photovoltaischen Betrieb vorgesehen, können jedoch mit einer kleinen Sperrspannung betrieben werden; der hohe Shuntwiderstand minimiert Offset in hochverstärkenden Transimpedanzverstärker-Schaltungen. RoHS-konform.

Eigenschaften & Vorteile
  • Spektralbereich im Sichtbaren
  • 1%–2% Linearität über 7 bis 9 Dekaden
  • Sehr niedriger Dunkelstrom
  • Sehr hoher Shuntwiderstand
  • RoHS-konform


Anwendungen
  • Innen- und Außenlichtsteuerung und -umschaltung
  • Dimmung von Fahrzeugscheinwerfern
  • Kontraststeuerung von Displays
  • Energiesparsysteme


Technische Daten
  • Aktive Fläche = 1,6 mm²
  • Kurzschlussstrom = Mindestens 0,8 µA bei 100 fc, 2850 K
  • Dunkelstrom = Maximal 100 pA bei 2 V Sperrspannung
  • Junktionskapazität = Typisch 0,31 nF bei 0 V Vorspannung
  • Spektralbereich = 330 nm bis 720 nm
  • Spektraler Spitzenwert = 580 nm
  • Empfindlichkeit bei Spitzenwellenlänge = Typisch 0,29 A/W
  • Winkelantwort = ±35° bei 50% Antwort

Kataloge

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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