ProduktbeschreibungDer C30737LH-230-92N Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 μm, eine verbesserte Empfindlichkeit bei 900 nm und einen 905 nm Bandpass-Filter in einem leadless Keramikgehäuse (LCC). Entwickelt für gefilterte, hochfrequente Detektion in kompakten Bauformen, verbindet sie schnelle zeitliche Reaktion mit enger optischer Selektivität.
Hauptmerkmale- Hohe Responsivität gefiltert bei 905 nm
- Niedriges Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeit über alle Wellenlängen mit einer Frequenzantwort über 380 MHz
- Aktiver Durchmesser 230 μm, optimiert für 900 nm Betrieb
- Integrierter 905 nm optischer Bandpass-Filter
- Leadless Keramikgehäuse (LCC) für kompakte Montage
Anwendungen- LiDAR-Systeme
- Laser-Entfernungsmessung
- Sicherheits- und Scangeräte
- Kostensensible Anwendungen, die einen leistungsfähigen Detektor erfordern
Technische Daten- Aktiver Durchmesser: 230 μm
- Wellenlänge der maximalen Empfindlichkeit: 905 nm
- Durchbruchspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
- Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
- Verstärkung: 100 @ 900 nm
- Responsivität: 60 A/W bei 900 nm
- Dunkelstrom (Id): typ. 0,05 nA, max <0,5 nA
- Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
- Kapazität: 0,6 pF
- Steig-/Abfallzeit: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
- Grenzfrequenz: 380 MHz
- Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
- Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
- Gehäuse: 3 x 3 mm Glasfenster, leadless Keramikgehäuse (LCC)
- Fenster: 905 nm Filter