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Infrarot-Fotodiode YAG-200-4
Siliziummit QuadrantenQPD

Infrarot-Fotodiode - YAG-200-4 - Excelitas Technologies - PCO - Silizium / mit Quadranten / QPD
Infrarot-Fotodiode - YAG-200-4 - Excelitas Technologies - PCO - Silizium / mit Quadranten / QPD
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Eigenschaften

Merkmal
Infrarot, Silizium, mit Quadranten, QPD
Installierung
PIN

Beschreibung

Produktbeschreibung
Die YAG-200-4 Serie von Excelitas Technologies sind Si-PIN Quadrantendetektoren in N- oder P-Typ, ausgeliefert in hermetisch dichten TO-Gehäusen. Sie arbeiten über den Wellenlängenbereich 400 nm–1100 nm mit erhöhter IR-Empfindlichkeit, optimiert für die Detektion bei 1064 nm. Ein Schutzring sammelt Strom, der außerhalb der aktiven Fläche erzeugt wird, damit dieser nicht zum Rauschen beiträgt. Die große aktive Fläche ermöglicht Positionsbestimmung bei fokussierten und defokussierten Strahlen in gepulstem oder CW-Betrieb.

Hauptmerkmale
  • Hohe Quantenwirkungsgrad bei 1064 nm
  • Gegenkopplung (Crosstalk) <1% zwischen Elementen
  • Keine „toten Zonen“ zwischen Quadranten (P-Typ Option)
  • Gehäusestil: hermetischer TO-can / kundenspezifisches TO-8
  • Erhältlich in N- und P-Typ; optional Antireflexbeschichtung (-AR) und Heizer (-H)


Technische Daten
  • Anzahl der Elemente: 4
  • Aktiver Durchmesser: 5,1 mm
  • Aktive Fläche pro Element: 5,1 mm²
  • Typische Kapazität pro Quadrant: 12 pF
  • Typische Empfindlichkeit bei 900 nm: 0,60 A/W
  • Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm: 0,44 A/W
  • Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm für Suffix -AR und -ARH: 0,47 A/W
  • Typische Anstiegszeit (50 Ω Last): 12 ns
  • Max. Betriebsspannung: 180 V
  • Min. Durchbruchspannung: 200 V
  • Typische Kapazität pro Element: 2 pF
  • Maximale Kapazität pro Element: 10 pF
  • Typischer Dunkelstrom pro Element: 10 nA
  • Maximaler Dunkelstrom pro Element: 50 nA
  • Typischer Rauschstrom pro Element: 0,10 pA/√Hz
  • NEP bei 900 nm pro Element: 0,10 pW/√Hz
  • NEP bei 1064 nm pro Element: 0,15 pW/√Hz
  • Heizerwiderstand bei 25°C (-H Suffix): 10 ±2 kΩ
  • Heizer Spitzleistung (-H): 4 W
  • Max. Heizer-Gleichspannung (-H): 12 V
  • Gehäuse: kundenspezifisches TO-8 (hermetisch)
  • Lagertemperaturbereich: -55 bis 125 °C
  • Betriebstemperaturbereich: -55 bis 125 °C
  • Betriebstemperaturbereich für -H Suffix: -40 bis 85 °C
  • Maximale Heizer-Spannung: 12 V


Typische Anwendungen
  • Positionsdetektion und Strahlausrichtung bei 1064 nm
  • Laserüberwachung in gepulsten und CW-Systemen
  • Präzisions-Zielerfassung mit fokussierten oder defokussierten Spots
  • Laborgeräte und OEM-Integration


Bestellinformationen
  • Basismodell: YAG-200-4
  • Suffix -AR: Antireflexbeschichtung (verbesserte Empfindlichkeit)
  • Suffix -H oder -ARH: integrierte Heizeroption für Temperaturregelung
  • Kontaktieren Sie den Anbieter für N- oder P-Typ-Konfiguration und kundenspezifisches Gehäuse

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electronica Munich 2026
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