Infrarot-Fotodiode YAG-444

SiliziumwellenlängenempfindlichPIN

Übersicht Die YAG‑Serie von Excelitas Technologies umfasst leistungsfähige Si‑PIN‑Detektoren in N‑ oder P‑Ausführung, geliefert in hermetisch dichtenden TO‑Gehäusen. Die große aktive Fläche und das Guard‑Ring‑Design eignen sich für Positionsmessung sowie Leistungsdetektion in Labor‑ und Industrie‑Laseranwendungen.

Leistung Diese Photodioden bieten zuverlässige Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm, mit verbesserter IR‑Antwort optimiert für 1064 nm. Der Schutzring (Guard‑Ring) sammelt Strom, der außerhalb der aktiven Fläche erzeugt wird, sodass dieser nicht zum Rauschen beiträgt. Der große aktive Durchmesser von 11.3 mm ermöglicht Messungen an fokussierten und defokussierten Spots im gepulsten und CW‑Betrieb.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hoher Quantenausbeute bei 1064 nm
• Hermetische TO‑5 / TO‑36 Gehäuseoptionen
• Erhältlich in N‑ und P‑Typ
• Aktiver Durchmesser: 11.3 mm (aktive Fläche 100 mm²)

Technische Daten

• Aktiver Durchmesser (mm): 11.3
• Aktive Fläche (mm²): 100
• Typische Kapazität (pF): 35
• Typische Responsivität bei 900 nm (A/W): 0.60
• Typische Responsivität bei 1064 nm (A/W): 0.44
• Typische Responsivität bei 1064 nm für -AR Suffix (A/W): 0.47
• Typische Anstiegszeit, 50Ω Last (ns): 12
• Maximale Betriebsspannung (V): 180
• Minimale Durchbruchspannung (V): 200
• Typischer Dunkelstrom (nA): 80
• Maximaler Dunkelstrom (nA): 200
• Typischer Rauschstrom (pA/√Hz): 0.16
• Noise equivalent power (NEP) bei 1064 nm (pW/√Hz): 0.23
• Gehäuse: kundenspezifisches TO‑36
• Lagerungstemperaturbereich (℃): -55 bis 125
• Betriebstemperaturbereich (℃): -55 bis 125