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Infrarot-Fotodiode C30737LH-230-90N
AvalancheSiliziumLIDAR

Infrarot-Fotodiode - C30737LH-230-90N - Excelitas Technologies - PCO - Avalanche / Silizium / LIDAR
Infrarot-Fotodiode - C30737LH-230-90N - Excelitas Technologies - PCO - Avalanche / Silizium / LIDAR
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Eigenschaften

Merkmal
Infrarot, Avalanche, Silizium, LIDAR, wellenlängenempfindlich

Beschreibung

Produktübersicht
Der C30737LH-230-90N ist eine Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 230 µm in einem kontaktfreien Keramikgehäuse (LCC). Sie bietet eine verstärkte Empfindlichkeit bei 900 nm, geringes Rauschen und eine schnelle Frequenzantwort – geeignet für kompakte Hochgeschwindigkeits-Detektionssysteme.

Hauptmerkmale
  • Verstärkte Empfindlichkeit um 900 nm und breiter Bereich von 500 bis 1000 nm
  • Niedriges Dunkelrauschen und schnelle Anstiegszeit mit Grenzfrequenz über 380 MHz
  • Aktiver Durchmesser: 230 µm; optimiert für maximale Empfindlichkeit bei 900 nm
  • Kontaktfreies Keramikgehäuse (LCC) mit 3×3 mm Glasfenster


Anwendungen
  • LiDAR- und Telemetriesysteme
  • Laser-Entfernungsmesser und Distanzsensoren
  • Sicherheits- und Scanning-Geräte
  • Kosteneffiziente Hochleistungs-Detektormodule


Technische Daten
  • Aktiver Durchmesser: 230 µm
  • Sensitivitäts-Maximum Wellenlänge: 900 nm
  • Durchbruchsspannung (Vbd): 180–260 V (Binning verfügbar)
  • Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 1,3 V/°C
  • Gain: 100 @ 900 nm
  • Responsivität: 60 A/W @ 900 nm
  • Dunkelstrom (Id): typ. 0,05 nA, max <0,5 nA
  • Rauschstrom: 0,1 pA/√Hz
  • Kapazität: 0,6 pF
  • Anstiegs-/Abfallzeit: 0,9 ns (R_load = 50 Ω)
  • Grenzfrequenz: 380 MHz
  • Lagerungstemperatur: -50 °C bis +100 °C
  • Betriebstemperatur: -40 °C bis +85 °C
  • Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, kontaktfreies Keramikgehäuse (LCC)
  • Fenster: standard

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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