ProduktbeschreibungDie Quadrant-Silizium-Avalanche-Photodiode C30927EH-02 mit einem nutzbaren Durchmesser von 1,55 mm verfügt über eine doppelt dotierte "reach-through"-Struktur. Das Quadrantendesign nutzt eine gemeinsame Avalanche-Querschnittszone; die Trennung der Quadranten erfolgt durch Segmentierung der lichteinfallenden p+-Fläche gegenüber der Zone, wodurch keine toten Bereiche zwischen den Elementen entstehen und die Achsantwort erhalten bleibt. Das Bauteil ist für den Betrieb bei 900 nm optimiert und bietet hohe Responsivität, wenn es innerhalb von etwa ±50 nm der spezifizierten Wellenlänge betrieben wird.
Hauptmerkmale- Volles Winkelverhalten bei vollständig beleuchteter lichtempfindlicher Fläche größer als 90°
- Hoher quanteneffizient, optimiert für 900 nm
- Schnelle Zeitantwort
- Große aktive Fläche: 1,77 mm²
- Hermetisch dichtes, niedriges TO-8-Gehäuse
Anwendungen- Tracking
- Ausrichtung
- Erkennung "Friend or Foe"
Technische Angaben- Durchbruchspannungsbereich (V): 350 bis 485
- Typische Durchbruchspannung (V): 425
- Typischer Verstärkungsfaktor (M): 100
- Typischer Temperaturkoeffizient für konstanten Verstärkungsfaktor (V/°C): 2.4
- Minimale Responsivität bei 900 nm (A/W): 50
- Typische Responsivität bei 900 nm (A/W): 62
- Typischer Gesamtdunkelstrom (nA): 100
- Maximaler Gesamtdunkelstrom (nA): 200
- Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1.0
- Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1.5
- Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3
- Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5
- Maximaler Serienwiderstand (Ω): 15
- Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3
- Lagerungstemperatur (°C): -60 bis 120
- Betriebstemperatur (°C): -40 bis 60