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Avalanche-Fotodiode C30955EH
wellenlängenempfindlichLIDARSilizium

Avalanche-Fotodiode - C30955EH - Excelitas Technologies - PCO - wellenlängenempfindlich / LIDAR / Silizium
Avalanche-Fotodiode - C30955EH - Excelitas Technologies - PCO - wellenlängenempfindlich / LIDAR / Silizium
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Eigenschaften

Merkmal
Avalanche, wellenlängenempfindlich, LIDAR, Silizium, Infrarot

Beschreibung

Produktübersicht
Der C30955EH ist eine langwellig verstärkte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 1,5 mm und hoher Quanteneffizienz bei 1060 nm. Im TO-5-Gehäuse ausgeführt, verwendet dieses Si APD eine doppelt diffusierte "reach-through"-Struktur, um die Empfindlichkeit über 900 nm hinaus zu erweitern, ohne unerwünschte Eigenschaften einzuführen.

Funktionen & Vorteile
  • Aktiver Durchmesser 1,5 mm
  • Hohe Quanteneffizienz bei 1060 nm
  • Schnelle Ansprechzeit
  • Großer Betriebstemperaturbereich
  • Niedrige Kapazität
  • Hermetisch verschlossene Gehäuse
  • RoHS-konform
  • TEC-Option verfügbar

Anwendungen
  • Entfernungsmessung (range finding)
  • LiDAR
  • YAG-Laserdetektion

Technische Daten
  • Modell: C30955EH
  • Typ: Langwellig, verstärkte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD)
  • Aktiver Flächen-Durchmesser: 1,5 mm
  • Gehäuse: TO-5
  • Struktur: Double-diffused "reach-through"
  • Langwellenantwort: >900 nm
  • Empfindlichkeit: 70 A/W bei 900 nm
  • Empfindlichkeit: 34 A/W bei 1050 nm
  • Empfindlichkeit: 5 A/W bei 1150 nm
  • Optionen: TEC-Option verfügbar
  • Konformität: RoHS-konform

Kataloge

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Messen

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle B4 - Stand 302

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