ProduktübersichtDer C30955EH ist eine langwellig verstärkte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) mit einem aktiven Durchmesser von 1,5 mm und hoher Quanteneffizienz bei 1060 nm. Im TO-5-Gehäuse ausgeführt, verwendet dieses Si APD eine doppelt diffusierte "reach-through"-Struktur, um die Empfindlichkeit über 900 nm hinaus zu erweitern, ohne unerwünschte Eigenschaften einzuführen.
Funktionen & Vorteile- Aktiver Durchmesser 1,5 mm
- Hohe Quanteneffizienz bei 1060 nm
- Schnelle Ansprechzeit
- Großer Betriebstemperaturbereich
- Niedrige Kapazität
- Hermetisch verschlossene Gehäuse
- RoHS-konform
- TEC-Option verfügbar
Anwendungen- Entfernungsmessung (range finding)
- LiDAR
- YAG-Laserdetektion
Technische Daten- Modell: C30955EH
- Typ: Langwellig, verstärkte Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD)
- Aktiver Flächen-Durchmesser: 1,5 mm
- Gehäuse: TO-5
- Struktur: Double-diffused "reach-through"
- Langwellenantwort: >900 nm
- Empfindlichkeit: 70 A/W bei 900 nm
- Empfindlichkeit: 34 A/W bei 1050 nm
- Empfindlichkeit: 5 A/W bei 1150 nm
- Optionen: TEC-Option verfügbar
- Konformität: RoHS-konform