Silizium-Fotodiode C30902EH

AvalancheInfrarotLIDAR

Übersicht
Die Excelitas C30902EH Avalanche-Photodioden sind schnelle, großflächige Silizium-Reach-through-APDs, entwickelt für Anwendungen bei geringen Lichtpegeln, die typische Verstärkungen >100 erfordern. Sie sind in modifizierten TO-18-Gehäusen mit flacher Glasfenster erhältlich, in mehreren TO-18-Konfigurationen (flaches Glas, Kugellinse, Lichtleiter und 905-nm-Filter). Der nutzbare Durchmesser der lichtempfindlichen Fläche beträgt 0,5 mm.

Wesentliche Details
Die C30902EH-Serie wird mit einer doppelt dotierten "reach-through"-Struktur gefertigt, die hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 1000 nm sowie sehr schnelle Anstiegs-/Abfallzeiten bietet. Die Empfindlichkeit ist bis typ. 800 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz. Der Detektorchip ist hermetisch hinter einem flachen Glasfenster in einem modifizierten TO-18-Gehäuse versiegelt. Die Familie umfasst außerdem eine Single-Photon-fähige APD-Variante (SPAD) (C30902SH), die im Geiger- und im linearen Modus betrieben werden kann.

Eigenschaften & Vorteile

• 0,5 mm Si-APD im TO-18-Gehäuse
• Hoher Quanteneffizienz – 84% typ. bei 800 nm
• Niedriges Rauschen bei Raumtemperatur
• Hohe Empfindlichkeit – interne Avalanche-Gewinne >150
• Spektraler Ansprechbereich – 400 bis 1100 nm
• Zeitantwort – typ. 0,4 ns
• Weiter Betriebstemperaturbereich -40°C bis +85°C

Anwendungen

• LiDAR / Time-of-Flight (ToF)-Messungen
• Optischer Zeitbereichs-Reflektometer (OTDR)
• Kleinsignal-Fluoreszenz
• Laserabtastung

Technische Daten

• Aktive Fläche: 0,2 mm²
• Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
• Durchbruchs-Spannung: Typ. 225 V
• Kapazität: 1,5 pF
• Temperaturkoeffizient: Typ. 0,7 V/°C
• Dunkelstrom: 7 nA
• Dunkelrauschen: 0,1 pA/√Hz
• Rauschäquivalente Leistung: 1,23 fW/√Hz
• Typische Empfindlichkeit: 80 A/W bei 800 nm
• Empfohlenes Gain: 150
• Gehäuse: TO-18, flaches Fenster