Silizium-Fotodiode FFD-100H

PIN

Produktbeschreibung
Der FFD-100H ist eine großflächige Silizium-PIN-Photodiode mit einem aktiven Durchmesser von 2,5 mm in einem hermetisch verschlossenen TO-5-Gehäuse. Sie liefert hohe Responsivität im Bereich 400–1150 nm mit einem Peak um 920 nm und verfügt über ultrakurze Anstiegs-/Abfallzeiten von 1 ns. Das Bauteil weist niedrigen Dunkelstrom, niedrigen NEP und niedrige Betriebsspannung auf, wodurch es sich für schnelle optische Detektion in Industrie- und Messanwendungen eignet.

Merkmale & Vorteile

• Großflächige Silizium (Si) PIN-Photodiode
• Hermetisch verschlossenes TO-5 Metallgehäuse
• Aktiver Durchmesser: 2,5 mm
• Ultraschnelle Anstiegs-/Abfallzeit: 1 ns
• Isolierter Photodioden-Chip mit niedriger Kapazität

Anwendungsgebiete

• Laser-Erkennungs- und Überwachungssysteme
• Laserleistungsregelung und Sicherheitsunterbrechungen
• Schnelle Pulserkennung für Halbleiterinspektion
• Hochgeschwindigkeits-Instrumentierung und Messung
• Hochgeschwindigkeits-Optikumschaltung

Technische Daten

• Durchbruchspannung: 150 V
• Kapazität: 8,5 pF
• Dunkelstrom: < 25 nA
• Rauschstrom: < 90 fA/√Hz
• Gehäuse: TO-5 (hermetisch verschlossen)
• Aktiver Durchmesser: 2,5 mm
• Spektraler Bereich: 400 nm – 1150 nm
• Responsivität: 0,6 A/W (typ.)
• Peak-Responsivität (Übersicht): 920 nm; Peak-Wellenlänge (Spez.-Tabelle): 850 nm
• Anstiegs-/Abfallzeit: 1 ns
• Niedriger NEP und niedrige Betriebsspannung