Wellenlängenempfindlicher Fotodiode C30807EH

SiliziumPIN

Produktübersicht
Der C30807EH ist eine PIN-Photodiode aus N-Typ Silizium mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm, untergebracht in einem hermetisch versiegelten TO-18-Gehäuse. Sie deckt den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ab und gehört zu einer Serie mit photosensitiven Flächen von 0,8 mm² bis 100 mm².

Eigenschaften & Vorteile:

• Hohe Empfindlichkeit (typ. 0,6 A/W bei 900 nm)
• Kurze Anstiegs-/Abfallzeiten (<5 / <10 ns)
• Niedrige Betriebsspannung und geringer Dunkelstrom
• Niedrige Kapazität (2,5 pF)
• Hermetisch versiegeltes TO-18-Gehäuse für stabile Leistung
• RoHS-konform

Anwendungen:

• Laserdetektion und -überwachung
• Photometrie und Lichtmessgeräte
• Empfänger für optische Datenübertragung
• Präzisionsinstrumentierung und Sensorik
• Hochgeschwindigkeits-optische Schaltungen

Spezifikationen (typisch):
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 2,5 pF
Dunkelstrom: 10 nA / <50 nA
Rauschstrom: 60 fW/√Hz
Peak-Wellenlänge: 900 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <5 ns / <10 ns

Eigenschaften / Technische Daten

• Gerätetyp: PIN-Photodiode aus N-Typ Silizium
• Aktiver Durchmesser: 1,0 mm
• Gehäuse: Hermetisch versiegeltes TO-18
• Wellenlängenbereich: 300 nm bis 1100 nm
• Reihenweite der photosensitiven Fläche: 0,8 mm² bis 100 mm²
• RoHS-konform