Wellenlängenempfindlicher Fotodiode VTH2120

Siliziumchip on carrier

Produktübersicht Die Silizium-Fotodiode VTH2120 in Chip-Form verfügt über eine aktive Fläche von 100 mm² (10×10 mm) und ein niederkapazitives Design, optimiert für die Detektion von Alphateilchen, z. B. in Radon-Monitoring-Anwendungen. Die strahlungsbeständige Chip-Konstruktion minimiert Absorptionen durch Fensteranordnungen und erhöht so die Empfindlichkeit gegenüber relevanter Strahlung. Spektraler Bereich 400 nm bis 1100 nm, Spitzenantwort bei 940 nm und typische Empfindlichkeit 0,70 A/W. Verpackungsoptionen: Waffle-Pack oder Mylar (bevorzugt). Eine kleinere Variante ist als VTH2110 (5×5 mm) erhältlich.

Spezifikationen

• Aktive Fläche: 100 mm² (10×10 mm)
• Dunkelstrom: ≤ 5 nA bei 20 V Sperrspannung
• Junktionskapazität: ≤ 120 pF bei 20 V Sperrspannung
• Spektralbereich: 400 nm – 1100 nm
• Maximale spektrale Empfindlichkeit: 940 nm
• Empfindlichkeit bei Spitzenwellenlänge: typ. 0,70 A/W
• Durchbruchspannung: > 100 V

Anwendungen

• Radon-Detektion
• Alphateilchen-Detektion
• Umgebungslichtmessung

Technische Merkmale

• Gehäuseform: Chip
• Niedrigkapazitives Design für verbesserte Signalcharakteristik
• Hohe Empfindlichkeit für Alphateilchen durch fensterlose Chip-Bauweise
• Verfügbare Verpackung: Waffle-Pack oder Mylar
• Alternativmodell mit kleinerer Fläche: VTH2110 (5×5 mm)