Infrarot-Fotodiode C30737LH-300-70N

wellenlängenempfindlichSiliziumAvalanche

Produktbeschreibung:
Der C30737LH-300-70N Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 300 µm und eine verstärkte Empfindlichkeit bei etwa 800 nm im keramischen Gehäuse ohne Anschlüsse (LCC). Entwickelt für schnelle optische Erfassung mit breiter spektraler Responsivität und geringem Rauschen, geeignet für Laserentfernungsmessung und präzise optische Sensorik.

Hauptmerkmale:

• Hohe Responsivität von 500 nm bis 1000 nm, Maximum bei 800 nm
• Geringes Rauschen und sehr schnelle Anstiegszeit; Frequenzgang über 700 MHz
• 300 µm aktiver Durchmesser, optimiert für 800 nm
• Keramisches Gehäuse ohne Anschlüsse Option LH (LCC)

Anwendungen:

• Laser-Entfernungsmessung und Distanzmesser
• Flächenabtastung und Sicherheits-Scanning
• Hochleistungs-Detektormodule mit kontrollierten Kosten

Technische Daten:

• Aktiver Durchmesser: 300 µm
• Wellenlänge der Spitzensensitivität: 800 nm
• Durchbruchspannung (Vbd): 110–165 V
• Temperaturkoeffizient von Vop für konstantes M: 0,6 V/°C
• Gain: 100 @ 800 nm
• Responsivität: 55 A/W bei 800 nm
• Dunkelstrom: 1 nA
• Rauschstrom: 0,2 pA/√Hz
• Kapazität: 0,7 pF
• Abschaltfrequenz: 700 MHz
• Lagerungstemperatur: -40°C bis +100°C
• Betriebstemperatur: -20°C bis +60°C
• Gehäuse: 3×3 mm Glasfenster, keramisches Gehäuse ohne Anschlüsse (LCC)
• Fenster: Standardfenster