Pulslaserdiode PVGS2S06H

Nanosekundenmit KurzimpulsFestkörper

Übersicht
Der PVGS2S06H ist eine metallverpackte 1550‑nm‑Pulslaserdioden‑Einheit mit einem Einkavitäts‑Dual‑Stack‑Chip und einer Streifenbreite von 150 µm. Er ist in verschiedenen Gehäuseoptionen (u. a. TO‑52) erhältlich und für hohe Spitzenimpulsleistungen ausgelegt.

Technologie und Leistung
Das Bauteil ist eine MOCVD‑gewachsene doppelte Heterostruktur, ausgelegt auf 1550 nm, um höhere zulässige Emissionspegel und eine augensichere Betriebsweise zu ermöglichen. Bei geeigneter Integration und Konfiguration kann ein Betrieb in Klasse 1 bei vergleichsweise hohen Ausgangsleistungen erreichbar sein. Die Architektur ist für gepulste Hochleistungs‑Spitzen optimiert.

Hauptmerkmale

• Metallverpacktes Bauteil (TO‑52 Optionen)
• Einkavität, Doppel‑Stack Chiparchitektur
• Streifenbreite: 150 µm
• Entwickelt für kurze Impulse mit hoher Spitzenleistung

Anwendungen / Hinweise
Erhältlich in verschiedenen Gehäusen zur Anpassung an Systemintegrationsanforderungen. Gestapelte Konfigurationen ermöglichen die Skalierung der Spitzenleistung für Anwendungen wie Distanzmessung, LIDAR, freie‑Raum‑Kommunikation und Prüf‑/Messsysteme, die kurze, leistungsstarke Impulse benötigen.

Technische Daten

• Zentralwellenlänge: 1550 nm
• Chip‑Architektur: Einkavität, Doppel‑Stack
• Streifenbreite: 150 µm
• Getestetes Beispiel: 24 W bei 20 A mit 150 ns Puls
• Hohe Spitzenimpulsleistung: bis zu 50 W
• Standard angebotene Spitzenleistungen in der PVG‑Familie: 7 W, 14 W und 58 W (Familienwerte)
• Struktur: Quantum‑well
• Fertigung: MOCVD‑gewachsene doppelte Heterostruktur