Pulslaserdiode PVGR2S06H

FestkörperNahinfrarotDioden

Übersicht
Der PVGR2S06H ist eine gepulste Laserdiode mit Metallgehäuse für den Betrieb bei 1550 nm. Sie enthält eine Einkavitäts-Dual-Stack-Chiparchitektur mit einer Streifenbreite von 150 µm und wird in Gehäusevarianten wie einem 9 mm CD-Gehäuse in 6 mils PLD-Konfiguration angeboten. Typisch geprüfte Leistung: 24 W bei 20 A mit 150 ns Puls.

Technologie- und Anwendungshinweise
Geräte dieser Familie sind MOCVD-gewachsene Doppelheterostruktur-Laserdioden mit Quantenbrunnen und sind auf 1550 nm ausgelegt. Standard-Spitzenleistungen der Familie umfassen 7 W, 14 W und 58 W. Die Wellenlänge 1550 nm erlaubt höhere zulässige Emissionspegel zur Verbesserung der Augensicherheit und kann unter geeigneten Bedingungen den Betrieb in Klasse 1 bei höheren Spitzenleistungen ermöglichen.

Hauptmerkmale

• Zentrumwellenlänge 1550 nm
• Gehäuse: Metallverpackte gepulste Laserdiode
• Chip-Architektur: Einkavität, Dual-Stack
• Streifenbreite: 150 µm
• Getestete Leistung: 24 W @ 20 A (150 ns Puls)
• Gestapelte Ausführungen zur Erhöhung der Ausgangsleistung
• Quantenbrunnen-Doppelheterostruktur, MOCVD-gewachsen
• Hohe Spitzenleistung im Pulsbetrieb: bis zu 50 W

Technische Daten / Spezifikationen

• Modell: PVGR2S06H
• Wellenlänge (Mitte): 1550 nm
• Chip-Architektur: Einkavität, Dual-Stack
• Streifenbreite: 150 µm
• Gehäuse: Metallverpackt (Beispiel: 9 mm CD-Gehäuse)
• PLD-Spezifikation: 6 mils PLD
• Typisch getestete Ausgangsleistung: 24 W bei 20 A (150 ns Puls)
• Spitzenpulsleistung: bis zu 50 W
• Wachstum/Struktur: MOCVD-gewachsene Doppelheterostruktur mit Quantenbrunnen
• Standard-Spitzenleistungen der Familie: 7 W, 14 W, 58 W
• Entwickelt, um höhere zulässige Emissionspegel bei 1550 nm zu ermöglichen zur Verbesserung der Augensicherheit (potenziell Klasse-1-Betrieb)