Pulslaserdiode PVGR4S12H

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Produktübersicht
Der PVGR4S12H ist eine metallummantelte gepulste Laserdiode für den Betrieb bei 1550 nm. Er enthält einen Ein‑Kavitäts Quad‑Stack‑Chip mit einer Streifenbreite von 300 µm (12 mil) und wird im 9 mm CD Metallgehäuse geliefert. Das Bauteil bietet hohe Impuls‑Spitzenleistung; getestete Spitzenleistung: 58 W @ 40 A bei 150 ns Puls.

Technologie und Leistung
MOCVD‑gewachsene Doppelheterostruktur mit Quantum‑Well‑Design, optimiert für eine mittlere Wellenlänge von 1550 nm. Diese Wellenlänge ermöglicht höhere zulässige Emissionswerte für augensicheren Betrieb (ermöglicht potenziell Klasse‑1‑Betrieb gemäß FDA/anzuwendenden Grenzwerten). Verschiedene Spitzenleistungsvarianten stehen zur Anpassung an Systemanforderungen zur Verfügung.

Merkmale

• Metallverpackte gepulste Laserdiode für industrielle Anwendungen
• Ein‑Kavität, Quad‑Stack Chiparchitektur
• Streifenbreite: 300 µm (12 mil)
• Erhältlich in mehreren Gehäuseoptionen, einschließlich 9 mm CD Metallgehäuse

Dokumentation
Datasheet verfügbar mit elektrischen, optischen und mechanischen Spezifikationen, Testbedingungen und Handhabungshinweisen.

Technische Spezifikationen

• Mittlere Wellenlänge: 1550 nm
• Chiparchitektur: Ein‑Kavität, Quad‑Stack
• Streifenbreite: 300 µm (12 mil)
• Getestete Spitzenleistung: 58 W @ 40 A bei 150 ns Puls
• Verfügbare Spitzenleistungsvarianten: 7 W, 14 W, 58 W
• Impuls‑Spitzenleistungsfähigkeit: bis zu 58 W (modellabhängig)
• Aktive Struktur: Quantum‑Well
• Wachstumsmethode: MOCVD Doppelheterostruktur
• Gehäuse: Metallgehäuse (z. B. 9 mm CD)