Pulslaserdiode PVGS1S06H

NanosekundenNahinfrarotNIR

Beschreibung Der PVGS1S06H ist eine metallgepackte, gepulste 1550-nm-Laserdiode, aufgebaut aus einem Single-Stack, Single-Cavity-Chip mit einer Streifenbreite von 150 µm. Sie liefert 7 W bei 20 A im Test mit einem 150-ns-Puls und ist in verschiedenen Gehäusen erhältlich, einschließlich TO-52.

Zusatzinformationen Es handelt sich um MOCVD-gezüchtete Doppelheterostruktur-Laserdioden, zentriert bei 1550 nm, die serienmäßig mit Spitzenleistungen von 7 W, 14 W und 58 W angeboten werden. Die 1550-nm-Zentrawellenlänge bietet Vorteile hinsichtlich der zulässigen Emissionsgrenzen für augensicheren Betrieb gemäß FDA-Anforderungen; ein Betrieb in Klasse 1 sollte daher bei relativ hohen Spitzenleistungen möglich sein. Gestapelte Geräte sind verfügbar, um die Ausgangsleistung zu erhöhen.

Eigenschaften

• Metallgehäuse
• Single-Stack, Single-Cavity-Chip
• Streifenbreite 150 µm
• 7 W bei 20 A getestet mit 150-ns-Puls
• Erhältlich in verschiedenen Gehäusen (inkl. TO-52)

Technische Spezifikationen

• Zentralwellenlänge: 1550 nm
• Gestapelte Geräte verfügbar zur Erhöhung der Ausgangsleistung
• Quantenbrunnenstruktur (Doppelheterostruktur)
• Hohe Spitzenleistung im gepulsten Betrieb: bis zu 50 W
• Standardmäßig angebotene Spitzenleistungen: 7 W, 14 W, 58 W