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MOSFET-Transistor SCT2H12NZLeistungSchaltSilizium
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Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Leistung, Schalt
- Weitere Eigenschaften
- Silizium
- Strom
3,7 A
- Spannung
1.700 V
Beschreibung
N-Kanal-Siliziumkarbid-(SiC)-Leistungs-MOSFET
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SCT2H12NZ (SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler-IC) Evaluationsplatine
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