Bipolare Transistoren

Strom: 25 mA
Spannung: 13 V

... FEATURES - Eingebautes isoliertes DC-DC-Netzteil; Single Power versorgungstreiber-Topologie - Hohe Isolationsspannung von 3750VAC - Eingangssignalfrequenz bis zu 20kHz - Eingebaute Fehlerschaltung mit einem Pin zur Fehlerrückmeldung - ...

Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V

Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...

Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V

Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird ...

Strom: 28 A
Spannung: 650 V

... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung ...

Strom: 39 A
Spannung: 650 V

... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung ...

Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...

Strom: 3.000, 1.300, 2.000 A
Spannung: 4.500, 5.200 V

... StakPak ist eine Familie von Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Presspacks und Dioden in einem fortschrittlichen modularen Gehäuse, das einen gleichmäßigen Chipdruck in Stapeln mit mehreren Bauelementen ...

Strom: 15 A
Spannung: 140 V

... Bipolarer NPN-Leistungstransistor Die MJ15001 und MJ15002 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Hoher sicherer ...

... Toshiba bietet eine breite Palette von Bipolartransistoren für verschiedene Anwendungen an, darunter Hochfrequenz- (RF) und Stromversorgungsgeräte. ...

Strom: 20 A
Spannung: 650 V

Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)

... Die intelligenten Leistungsmodule SLLIMM gehören zur Familie der IPMs, die die Kombination von optimierten Siliziumchips ermöglichen und mit 3 Hauptwechselrichterblöcken integriert sind: Leistungsstufe (kurzschlusssichere IGBTs und Freilaufdioden), ...

Spannung: 60 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington-Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen wird und für ...

Spannung: 0,24 V - 3,5 V

Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V

... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

Strom: 10 A - 1.600 A
Spannung: 600 V - 1.700 V

... Greegoo bietet IGBT-Module (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in verschiedenen Topologien, Strom- und Spannungsklassen an. Von 15A bis 1600A in Spannungsklassen von 600V bis 1700V werden die IGBT-Module in einer Vielzahl ...

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...

Strom: 25 mA
Spannung: 20 V

Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...