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Strom: 28 A
Spannung: 650 V
... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung der Komplexität ...
Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen Energieverlust ...
Littelfuse
Strom: 15 A
Spannung: 140 V
... Bipolarer NPN-Leistungstransistor Die MJ15001 und MJ15002 sind Leistungstransistoren, die für Hochleistungs-Audio, Plattenkopfpositionierer und andere lineare Anwendungen entwickelt wurden. Merkmale Hoher sicherer Betriebsbereich (100% ...
Onsemi
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste in Kombination mit ...
Strom: 24 A
Spannung: 1.700 V
... Der Baustein verwendet einen Diffused Collector in Planar-Technologie mit "Enhanced High Voltage Structure" (EHVS1), die für hochauflösende CRT-Bildschirme entwickelt wurde. Die neue HD-Produktserie weist eine verbesserte Silizium-Effizienz auf und bringt ...
STMicroelectronics
Strom: 20 A
Spannung: 650 V
Reduzierte Schaltverluste, Schnellschaltung ermöglicht. (2-Pin-Gehäuse)
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
... Hochstrom Dvice Sockel Hohe Temperatur ℃ 5.45mm Raster Rechtwinklig Geringe Ausgasung Dies ist ein Sockel, der einer Leiterplattenanordnung mit Höhenbeschränkungen entsprechen kann, indem das Gerät zur Seite gedreht wird. ● Unterstützt verschiedene ...
JC CHERRY INC.
Spannung: 60 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR BCV47 ist ein Silizium-NPN-Darlington- Transistor, der im Epitaxie-Planarverfahren hergestellt und in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit Epoxidharz vergossen wird und für Anwendungen konzipiert ...
Central Semiconductor
Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V
... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN- Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines ...
Diodes Incorporated
Strom: 25 mA
Spannung: 20 V
... Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor Sattigungsspannung ...
Diotec
Strom: 150 A
Spannung: 600 V
... untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden als Schaltelemente für die Leistungswandler von drehzahlvariablen Antrieben für Motoren, Wechselrichterantrieben ...
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte in DBC-Technologie Typische ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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