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Strom: 21 A
Spannung: 6 V - 28 V
Der BV1HB045EFJ-C ist ein 1-Kanal High-Side-Schalter für Automobilanwendungen. Er verfügt über eine integrierte Überstrombegrenzungsfunktion, eine thermische Abschaltschutzfunktion, eine Funktion zur Erkennung offener Last und eine Low-Power-OFF-Funktion. ...
ROHM Semiconductor
Strom: 10 mA - 550 mA
Spannung: 60.000 mV - 1.500.000 mV
... Der Photovoltaik-MOSFET-Hochleistungstreiber von Panasonic ist in einem kleinen Gehäuse (SSOP) mit höherem Kurzschlussstrom und höherer Drop-out-Spannung zum Gate des MOSFET erhältlich. Dieser Treiber ...
Strom: 280 mA
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0205 ist ein Multidiskreter Module™, der aus einem einzigen N-Kanal-MOSFET und eine Schottky-Diode mit niedriger VF, untergebracht in einem platzsparenden ...
Central Semiconductor
Strom: 7 A - 12,7 A
Spannung: 30 V
... DIOFET ist ein proprietärer Prozess, der einen Leistungs-MOSFET mit einer Schottky-Diode monolithisch in einen einzelnen Siliziumchip integriert. Der integrierte Schottky reduziert den Durchlassspannungsabfall der Karosseriediode ...
Strom: 0 A - 0,2 A
Spannung: 11 V - 45 V
... -96 oder 48 High-Side Power MOSFET Ausgänge -Tru-Iso™ E/A-zu-PC 3,75 kVrms opto-isoliert -5.5" × 5.75", -IOB-96 lässt sich direkt an USB-DIO-96-OEM anschließen -IOB-48 passt direkt an USB-DIO-48-OEM ...
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