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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Strom: 21 A
Spannung: 6 V - 28 V
Der BV1HB045EFJ-C ist ein 1-Kanal High-Side-Schalter für Automobilanwendungen. Er verfügt über eine integrierte Überstrombegrenzungsfunktion, eine thermische Abschaltschutzfunktion, eine Funktion zur Erkennung offener Last und eine Low-Power-OFF-Funktion. ...
ROHM Semiconductor
Strom: 5 A
Spannung: 7 V - 76 V
... Unterstützung im industriellen Markt. Der BD9G500EFJ-LA ist ein DC/DC-Abwärtswandler mit integriertem High-Side-Leistungs- MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand. Er kann Strom bis zu 5 A liefern. Die Current-Mode-Architektur bietet ...
ROHM Semiconductor
Strom: 5 A
Spannung: 4,5 V - 36 V
... Der BD9F500QUZ ist ein synchroner DC/DC-Abwärtswandler mit integrierten Leistungs- MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand. Es kann Strom bis zu 5A liefern. Es zeichnet sich durch ein schnelles Einschwingverhalten aus, da das Kontrollsystem ...
ROHM Semiconductor
Strom: 250 mA
Spannung: 60 V
... Der RV8L002SNHZG ist ein ultrakompakter MOSFET, der eine höchste Zuverlässigkeit bei der Bestückung bietet. Der RV8L002SNHZG ist AEC-Q101-qualifiziert und gewährleistet Zuverlässigkeit und Leistung in Automobilqualität unter extremen ...
ROHM Semiconductor
Strom: 7 A - 12,7 A
Spannung: 30 V
... DIOFET ist ein proprietärer Prozess, der einen Leistungs- MOSFET mit einer Schottky-Diode monolithisch in einen einzelnen Siliziumchip integriert. Der integrierte Schottky reduziert den Durchlassspannungsabfall der Karosseriediode um fast ...
Strom: 280 mA
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0205 ist ein Multidiskreter Module™, der aus einem einzigen N-Kanal- MOSFET und eine Schottky-Diode mit niedriger VF, untergebracht in einem platzsparenden SOT-563-Gehäuse. ...
Central Semiconductor
Strom: 650 mA
Spannung: 40 V
... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBKONDUKTOR CMLM0575 ist ein Multi-Diskret- MOSFET Module™, der aus einem einzelnen N-Kanal-Erweiterungsmodus- MOSFET und einer Schottky-Diode mit niedriger VF besteht und in ...
Central Semiconductor
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