Transistoren

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IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
StakPak

Strom: 3.000, 1.300, 2.000 A
Spannung: 4.500, 5.200 V

... StakPak ist eine Familie von Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Presspacks und Dioden in einem fortschrittlichen modularen Gehäuse, das einen gleichmäßigen Chipdruck in Stapeln mit mehreren Bauelementen ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QC962-8A

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QP12W05S-37

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QP12W08S-37A

Strom: 25 mA
Spannung: 13 V

... FEATURES - Eingebautes isoliertes DC-DC-Netzteil; Single Power versorgungstreiber-Topologie - Hohe Isolationsspannung von 3750VAC - Eingangssignalfrequenz bis zu 20kHz - Eingebaute Fehlerschaltung mit einem Pin zur Fehlerrückmeldung - ...

IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
XPT™ series

Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V

Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
MG12600WB-BR2MM series

Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V

Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

... Toshiba bietet eine breite Palette von Bipolartransistoren für verschiedene Anwendungen an, darunter Hochfrequenz- (RF) und Stromversorgungsgeräte. ...

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
IPD900P06NM

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, ...

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Infineon Technologies AG
IGBT-Transistor
IGBT-Transistor
5SN series

Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen sich durch niedrige Verluste ...

Leistungstransistor
Leistungstransistor
PDHS545-NB195-S03-T3

Strom: 5 A
Spannung: 500 V

... Buchsen für Leistungstransistoren 5.45mm / 0.215" Teilung Hohe Temperatur Geringe Ausgasung Hochzuverlässiger runder Kontakt mit guter elektrischer und mechanischer Leistung. Die Testfassungen für Leistungstransistoren eignen sich für ...

Leistungstransistor
Leistungstransistor
PDSA-NB195-S0504-GG

Strom: 5 A

... Sockel für Leistungstransistoren Für TO-247(4pin) Hohe Temp. ℃ Geringe Ausgasung Diese Testfassungen für Leistungstransistoren sind für das TO-247(4pin)-Gehäuse geeignet und können in Umgebungen mit hohen Temperaturen eingesetzt werden. ...

Leistungstransistor
Leistungstransistor
M-L245-BK-T30-P

Strom: 5 A

... Testfassungen für Leistungstransistoren, kundenspezifischer Pitch Hochstrom Teilung Standardtyp/Durchgangslochtyp Geringe Ausgasung Wenn Sie ein Gerät bewerten wollen, das nicht von den Standardspezifikationen unterstützt wird, müssen ...

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
700 V | TOPSwitch-HX

Spannung: 110, 265 V

... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...

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Power Integrations
Transistor / Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Transistor / Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
BID series

Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V

... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche ...

FET-Transistor
FET-Transistor

... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BFS20

Strom: 25 mA
Spannung: 20 V

Kollektor Emitter Spannung - Vceo 20 V DC Kollektorstrom - Ic - 25 mA Polaritat - pol - NPN Verlustleistung - Ptot - 0.200 W Sperrschicht Temperatur - Tjmax - 150 °C Kollektor Basis Stromverhaltnis - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Kollektor ...

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Diotec
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
2N39 series

Strom: 200 mA
Spannung: 40 mV

Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstarken Standardausfuhrung *) Besonderheiten Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien *)

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Diotec
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BC54 series

Strom: 100 mA
Spannung: 65, 45, 30 V

Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstarken Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform x) -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation x) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstarkungsklassen Konform zu RoHS (ohne ...

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Diotec
Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistor
COM-MOSFET

Strom: 2 A
Spannung: 36 V

Mit dem COM-MOSFET können Sie eine Spannung von bis zu 36 Volt steuern. Mit Hilfe von Pulsweitenmodulation kann auch die Effektivspannung gesenkt werden (z. B. zum Dimmen einer LED Beleuchtung). KOMPATIBEL MIT Arduino, Raspberry Pi, ...

RF-Transistor
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AT-32011

Strom: 1 mA - 20 mA
Spannung: 2,7 V

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Broadcom
HEMT-Transistor
HEMT-Transistor
GNP1070TC-Z

Strom: 20 A
Spannung: 650 V

... GNP1070TC-Z ist ein 650-V-GaN-HEMT, der die höchste FOM-Klasse (Ron*Ciss、Ron*Coss) der Branche erreicht hat. Es handelt sich um ein Produkt der EcoGaN™-Serie, das zur Leistungsumwandlungseffizienz und Größenreduzierung beiträgt, indem ...

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ROHM Semiconductor
IGBT-Transistor
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RV1S series

... Fotokoppler für Kraftfahrzeuge (Transistorausgang, IC-Ausgang) sind in kleinen Gehäusen mit hoher Durchschlagsfestigkeit (3,75KV) und Hochtemperaturbetrieb bis 135 °C erhältlich. Dies erleichtert den Kunden das Design, einschließlich ...

Leistungstransistormodul
Leistungstransistormodul
AFM906N

Spannung: 7,5 V

... Der AFM906N ist für tragbare Zwei-Wege-Funkgeräte mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz ausgelegt. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal-, Common-Source-Verstärkeranwendungen ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
50A02CH

Strom: -0,5 A
Spannung: -50 V

... 50A02CH ist ein bipolarer Transistor, niedrige VCE(sat), PNP Single für Niederfrequenz-Allzweckverstärkeranwendungen. Anwendungen Niederfrequenz-Verstärker Hochgeschwindigkeitsschaltungen Kleiner Motorantrieb Muting-Schaltung Merkmale Hohe ...

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Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistor
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L9338

Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V

... ST bietet eine breite Palette von intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) in Automobilqualität auf Basis der VIPower-Technologie (vertical intelligent power). Diese proprietäre Technologie ermöglicht die Integration ...

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STMicroelectronics
MOSFET-Transistor
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IRF series

Spannung: -400 V - 1.000 V

... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. ...

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

Spannung: 0,24 V - 3,5 V

bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BCX51

Spannung: 45 V

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor
BC337-25

Strom: 0,8 A
Spannung: 50 V

... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON
bipolarer Transistor
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DMB series

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...

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Diodes Incorporated
bipolarer Transistor
bipolarer Transistor

Strom: 10 A - 1.600 A
Spannung: 600 V - 1.700 V

... Greegoo bietet IGBT-Module (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in verschiedenen Topologien, Strom- und Spannungsklassen an. Von 15A bis 1600A in Spannungsklassen von 600V bis 1700V werden die IGBT-Module in einer Vielzahl ...

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