Transistoren

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IGBT-Transistor / Leistung
IGBT-Transistor

... Eigenschaften: Einfache Parallelschaltung durch den positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung Robustes eXtreme-light Punch Through (XPT™) Design ergibt: - kurzschluss für 10µs ausgelegt. - sehr geringe Gate-Ladung - geringe ...

MOSFET-Transistor / Leistung
MOSFET-Transistor

... Eigenschaften Silizium-Chip auf Direkt-Kupfer-Bond substrat - hohe Leistungsdissipation - isolierte Montagefläche - 2500 V galvanische Trennung - geringe Drain-to-Tab-Kapazität (< 40 pF) Schnell CoolMOS™ 1) Leistungs-MOSFET 4 generation - ...

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
MG12600WB-BR2MM series

Spannung: 1.200 V
Strom: 600 A

Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an IGBT-Modulen von Littelfuse wird ...

MOSFET-Transistor / Leistung / Silizium
MOSFET-Transistor
HS8K11

Spannung: 30 V
Strom: 0 A - 44 A

HS8K11 ist ein Standard-MOSFET für Schaltanwendungen. Package CodeHSML3030L10 Package Size[mm]3.0x3.0(t=0.6) ApplicationsDC/DC Convertor Number of terminal10 PolarityNch+Nch Drain-Source Voltage VDSS[V]30

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ROHM Semiconductor
bipolarer Transistor / Leistung / für Kleinsignal / Silizium
bipolarer Transistor

Spannung: 0 V - 120 V
Strom: 0 A - 5 A

... Erhältlich in der Vielzahl von Gehäusen mit der Natur wie Kleinsignal, dünn und leistungsstark, um den Markt umfassend abzudecken. ...

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ROHM Semiconductor
bipolarer Transistor / für Kleinsignal / mit integriertren Polarisierungswiderständen / digital
bipolarer Transistor
DTA series

Spannung: 12, 50, 60 V
Strom: 0,1, 0,5, 1 A

Digitaltransistoren wurden auf dem Markt erstmalig von ROHM entwickelt. Der Transistor verfügt dabei über eine Digitalschaltung mit integriertem/n Widerstand/-ständen. Dieses Produktsegment wird derzeit erweitert, z. ...

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ROHM Semiconductor
bipolarer Transistor / Leistung
bipolarer Transistor

Spannung: 20 V
Strom: 100, 82 A

... Bipolartransistoren passend für eine Vielzahl von Anwendungen inkl. HF- und Stromversorgungsbaugruppen. Ein Injection-Enhanced Gate Transistor (IEGT) ist ein spannungsgetriebenes Gerät zum Schalten von Starkstrom. ...

MOSFET-Transistor / Leistung / Schalt / für die Fahrzeugtechnik
MOSFET-Transistor
IPD900P06NM

... P-Kanal-MOSFETs im Normal- und Logikbereich, wodurch die Komplexität des Designs in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung reduziert wird Beschreibung: OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse stellen die neue Technologie ...

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Infineon Technologies - Sensors
NPN-Transistor / Leistung
NPN-Transistor

Strom: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
Leistungstransistormodul
Leistungstransistormodul
AFM906N

Spannung: 7,5 V

... Übersicht Das AFM906N ist für tragbare Zweiwege-Funkanwendungen mit Frequenzen von 136 bis 941 MHz konzipiert. Die hohe Verstärkung, Robustheit und Breitbandleistung dieses Geräts machen es ideal für Großsignal- und Common-Source-Verstärkeranwendungen ...

IGBT-Transistormodul / Leistung
IGBT-Transistormodul

Spannung: 1.200 V
Strom: 10, 25 A

... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistormodul / Leistung
IGBT-Transistormodul
GTS40FB120T5HB

Spannung: 1.200 V
Strom: 40 A

... -Kurzschluss Nennwert>10jjs -Niedrige Sättigungsspannung: Vce (sat) = 2,15V @ lc = 40A, Tc=25'C -Geringe Schaltverluste -100 % RBSOA getestet (2*lc>) -Geringe Streuinduktivität Bleifrei, konform mit den RoHS-Anforderungen Anwendungen: -Industrielle ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
IGBT-Transistor / Leistung
IGBT-Transistor
RGW25N135F1A

Spannung: 1.350 V
Strom: 25 A

... Rongtech Field Stop Trench IGBTs bieten geringe Schaltverluste, hohe Energieeffizienz und hohe Lawinenrobustheit für Soft-Switching-Anwendungen wie Induktionserwärmung, Mikrowellenherd, etc. FEATURES -Hohe Durchbruchspannung bis 1350V ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
MOSFET-Transistor / Leistung
MOSFET-Transistor
700 V | TOPSwitch-HX

Spannung: 110, 265 V

... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...

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Power Integrations
bipolarer Transistor / Leistung / für Kleinsignal / Silizium
bipolarer Transistor
BCX51

Spannung: 45 V

... BESCHREIBUNG: Die CENTRAL SEMICONDUCTOR-Typen BCX51, BCX52 und BCX53 sind PNP-Siliziumtransistoren hergestellt nach dem Epitaxie-Planarverfahren, Epoxidharz in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse gegossen, das für Hochstrom-Allzweck-Verstärkeranwendungen ...

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Central Semiconductor
NPN-Transistor / MOSFET / Schalt / für Kleinsignal
NPN-Transistor
CMKT3920

Spannung: 50 V

... BESCHREIBUNG: Der Zentral-Halbleiter CMKT3920 (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem Raum sparendes SOT-363 ULTRAmini™ Paket, das für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen Signalen entwickelt ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor / für Kleinsignal / Silizium / geräuscharm
bipolarer Transistor
CMPT5086

Spannung: 50 V

... BESCHREIBUNG: Der ZENTRALE HALBLEITER CMPT5086, CMPT5086B und CMPT5087 sind Silizium-PNP-Transistoren hergestellt nach dem epitaktischen Planarverfahren, Epoxidharz geformt in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse, konzipiert für anwendungen, ...

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Central Semiconductor
bipolarer Transistor / für Kleinsignal / Schalt
bipolarer Transistor
BC337-25

Spannung: 50 V
Strom: 0,8 A

... Gleichstromverstärkung hFE Max.:400 Gleichstromverstärkung hFE Min.:160 Beschreibung:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Bipolar Transistor IC (A):0.8 PD (W):0.625 Paket:TO-92 Polarität:NPN Status:Aktiv TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE ...

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Taiwan Semiconductor
IGBT-Transistor / Leistung
IGBT-Transistor

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul

MOSFET-Transistor / Leistung
MOSFET-Transistor

RF-Transistor
RF-Transistor
AT-31033

Spannung: 2,7 V
Strom: 1 mA - 10 mA

... Ausgestattet mit einem Mikrostromgerät mit guter HF-Leistung bei 1mA-10mA. Der AT-310XX ist in einer Vielzahl von Gehäusen untergebracht und eignet sich gut für Paging, Mobilfunk/PCS und andere HF-Anwendungen. NF=0,9dB, Verstärkung=13dB ...

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Broadcom
FET-Transistor / Feldeffekt / Leistung / geräuscharm
FET-Transistor

... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus ...

bipolarer Transistor / MOSFET / Schalt
bipolarer Transistor
DMB series

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...

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Diodes Incorporated
MOSFET-Transistor / Leistung / für die Fahrzeugtechnik
MOSFET-Transistor
VND series

... ST bietet eine breite Palette von intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) in Automobilqualität auf Basis der VIPower-Technologie (vertical intelligent power). Diese proprietäre Technologie ermöglicht die Integration ...

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STMicroelectronics
IGBT-Transistor / Leistung
IGBT-Transistor
FG, ISL9 series

Spannung: 250, 500 V
Strom: 10, 43 A

... FAIRCHILD präsentiert seine neueste Linie von Fahrzeugzündungen mit IGBT. Es wurde speziell entwickelt, um die höchste Klemmenenergiedichte aller auf dem Markt befindlichen Geräte und eine niedrige Sättigungsspannung zu erreichen. Bietet ...

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Fairchild Semiconductor
IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
SK 9 BGD 065 ET

... Artikelnummer2491212000 ProduktstatusNicht für neue Designs GehäuseSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBBxHH)55x31x12x12 SchalterSix Pack VCES in V600 ICnom in A6 TechnologyNPT IGBT (Ultrafast) ...

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SEMIKRON
bipolarer Transistor / Leistung
bipolarer Transistor

Spannung: 3,5 V - 350 V
Strom: 0,04 A - 16 A

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ON Semiconductor
IGBT-Transistormodul / Schalt
IGBT-Transistormodul

Spannung: 600, 1.200 V
Strom: 3,9 A - 50 A

... FEATURES - Eingangsgleichrichterbrücke - PFC-Stufe mit Warp 2 IGBT und FRED Pt® hyperschneller Diode - Sehr geringe Streuinduktivität für hohe Induktivität drehzahlbetrieb - Integrierter Thermistor - Isolierte Grundplatte - UL-zertifizierte ...

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VISHAY
IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
TIM series

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
600V, 800A

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QC962-8A

IGBT-Transistormodul
IGBT-Transistormodul
QP12W05S-37