IGBT-Transistoren

Strom: 28 A
Spannung: 650 V

... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, eine Verringerung ...

Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V

... Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail strom, geringen ...

Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V

... IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper- IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule zeichnen ...

Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V

... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken- IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Entwickler einen ...

Strom: 8 A
Spannung: 600 V

... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr weiche ...

Strom: 50 A
Spannung: 650 V

... Die RGWxx65C-Serie umfasst 650-V- IGBTs mit einer eingebauten SiC-Schottky-Diode, die die Einschaltverluste reduziert. Es handelt sich um ein AEC-Q101-konformes Produkt. Er kann selbst in rauen Umgebungen wie xEV-Onboard-Ladegeräten, DC/DC-Wandlern, ...

Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V

... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die fortschrittliche ...

... 2-16) Durch Anpassung der Anordnung der Buchsenstifte, kann es auch für die Bewertung von Leistungshalbleitern wie IPM und IGBT verwendet werden. Möglich für Kelvin-Messung Möglichkeit zur Auswahl der Verdrahtungsspezifikationen Unterstützt ...

Strom: 100 mA
Spannung: 45, 30, 65 mV

... Typische Anwendungen Signalverarbeitung Schalten Verstarken Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform x) -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation x) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstarkungsklassen Konform zu RoHS (ohne Ausn.), REACH, Konfliktmineralien ...

Strom: 150 A
Spannung: 600 V

... Schalter - Eine halbe Brücke. Die IGBT-Module sind in einem Standard-Industriegehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...

Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V

... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte Kupfergrundplatte ...