Erreichen Sie das ganze Jahr über neue Kunden an einem einzigen Ort
Aussteller werden
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Spannung: 1.700, 2.500, 4.500 V
Diese Geräte wurden entwickelt unter Verwendung der proprietären Thin-Wafer XPT™-Technologie und des aktuellsten IGBT-Prozesses und zeichnen sich durch Eigenschaften wie reduzierten thermischen Widerstand, niedrigen tail ...
Strom: 600 A
Spannung: 1.200 V
Die IGBT-Module von Littelfuse bieten eine hohe Effizient und die schnellen Umschaltgeschwindigkeiten moderner IGBT-Technologien in einem widerstandsfähigen und flexiblen Format. Das große Portfolio an ...
Strom: 28 A
Spannung: 650 V
... Der hart schaltende TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT im TO-220-Gehäuse eignet sich für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz schalten, und bietet eine hohe Stromdichte, einen hohen Wirkungsgrad, kürzere Markteinführungszyklen, ...
Infineon Technologies AG
Strom: 25 mA
Spannung: 13 V
... FEATURES - Eingebautes isoliertes DC-DC-Netzteil; Single Power versorgungstreiber-Topologie - Hohe Isolationsspannung von 3750VAC - Eingangssignalfrequenz bis zu 20kHz - Eingebaute Fehlerschaltung mit einem Pin zur Fehlerrückmeldung - ...
... 2-16) Durch Anpassung der Anordnung der Buchsenstifte, kann es auch für die Bewertung von Leistungshalbleitern wie IPM und IGBT verwendet werden. Möglich für Kelvin-Messung Möglichkeit zur Auswahl der Verdrahtungsspezifikationen Unterstützt ...
JC CHERRY INC.
... Thermoplastisch Durch Anpassung der Anordnung der Buchsenstifte, kann es auch für die Bewertung von Leistungshalbleitern wie IPM und IGBT verwendet werden. Möglich für Kelvin-Messung Möglichkeit zur Auswahl der Verdrahtungsspezifikationen Unterstützt ...
JC CHERRY INC.
... Kabel. Durch Anpassung der Anordnung der Buchsenstifte, kann es auch für die Bewertung von Leistungshalbleitern wie IPM und IGBT verwendet werden. Möglich für Kelvin-Messung Möglichkeit zur Auswahl der Verdrahtungsspezifikationen Unterstützt ...
JC CHERRY INC.
Strom: 800 A
Spannung: 1.200 V
... Das NXH800H120L7QDSG ist ein Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodul mit Nennleistung. Die integrierten Field Stop Trench 7 IGBTs und Gen. 7 Dioden sorgen für geringere Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die ...
Fairchild Semiconductor
Strom: 50 A
Spannung: 650 V
Die RGWxx65C-Serie umfasst 650-V-IGBTs mit einer eingebauten SiC-Schottky-Diode, die die Einschaltverluste reduziert. Es handelt sich um ein AEC-Q101-konformes Produkt. Er kann selbst in rauen Umgebungen wie xEV-Onboard-Ladegeräten, ...
ROHM Semiconductor
Strom: 8 A
Spannung: 600 V
... Dieser IGBT nutzt den fortschrittlichen PowerMESH™-Prozess, der einen hervorragenden Kompromiss zwischen Schaltleistung und niedrigem Einschaltverhalten bietet. Alle Merkmale Niedriger Einschalt-Spannungsabfall (VCE(sat)) Sehr ...
STMicroelectronics
Strom: 150 A - 3.600 A
Spannung: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
IGBT-Leistungsmodule von Hitachi Energy sind für Spannungen von 1700–6500 Volt als Einzel-, Doppel-/Phasenbein-, Chopper-IGBT- und Doppeldiodenmodule verfügbar. Die HiPak IGBT-Hochleistungsmodule ...
Strom: 3.000, 1.300, 2.000 A
Spannung: 4.500, 5.200 V
... StakPak ist eine Familie von Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Presspacks und Dioden in einem fortschrittlichen modularen Gehäuse, das einen gleichmäßigen Chipdruck in Stapeln mit ...
SEMIKRON
Strom: 5, 20, 30, 50 A
Spannung: 600 V
... Die diskrete BID-Serie von Bourns® IGBT kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors und ist damit das richtige Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet ...
Strom: 150 A
Spannung: 600 V
... Schalter - Eine halbe Brücke. Die IGBT-Module sind in einem Standard-Industriegehäuse untergebracht, das die Integration des Geräts in bestehende Anlagen erleichtert. Die IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar ...
Strom: 10 A - 1.600 A
Spannung: 600 V - 1.700 V
... Greegoo bietet IGBT-Module (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in verschiedenen Topologien, Strom- und Spannungsklassen an. Von 15A bis 1600A in Spannungsklassen von 600V bis 1700V werden die IGBT-Module ...
Strom: 10, 25 A
Spannung: 1.200 V
... Merkmale Graben + Filed Stop IGBT-Technologie -10ps Kurzschlussfestigkeit -Versât) mit positivem Temperaturkoeffizienten -Fall mit niedriger Induktivität -Schnelle und sanfte Rückwärtswiederherstellung antiparallel FWD Isolierte ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Erreichen Sie das ganze Jahr über neue Kunden an einem einzigen Ort
Aussteller werden
Andere (bitte angeben)
Helfen Sie uns, uns zu verbessern:
Zeichen übrig