IGBT-Transistor RGW00TS65CHR
SchaltSiliziumfür die Fahrzeugtechnik

IGBT-Transistor - RGW00TS65CHR - ROHM Semiconductor - Schalt / Silizium / für die Fahrzeugtechnik
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Eigenschaften

Typ
IGBT
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium, für die Fahrzeugtechnik
Strom

50 A

Spannung

650 V

Beschreibung

Die RGWxx65C-Serie umfasst 650-V-IGBTs mit einer eingebauten SiC-Schottky-Diode, die die Einschaltverluste reduziert. Es handelt sich um ein AEC-Q101-konformes Produkt. Er kann selbst in rauen Umgebungen wie xEV-Onboard-Ladegeräten, DC/DC-Wandlern, Solarstrom-Konditionierern und USV zuverlässig eingesetzt werden.

Messen

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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