IGBT-Transistor RGW00TS65CHR
SchaltSiliziumfür die Fahrzeugtechnik

IGBT-Transistor
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Eigenschaften

Typ
IGBT
Technologie
Schalt
Weitere Eigenschaften
Silizium, für die Fahrzeugtechnik
Strom

50 A

Spannung

650 V

Beschreibung

Die RGWxx65C-Serie umfasst 650-V-IGBTs mit einer eingebauten SiC-Schottky-Diode, die die Einschaltverluste reduziert. Es handelt sich um ein AEC-Q101-konformes Produkt. Er kann selbst in rauen Umgebungen wie xEV-Onboard-Ladegeräten, DC/DC-Wandlern, Solarstrom-Konditionierern und USV zuverlässig eingesetzt werden.

Kataloge

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.