MOSFET-Transistoren

Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V

... P-Kanal-MOSFETs in normaler und logischer Ausführung, die die Komplexität des Designs bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch reduzieren OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse ...

Spannung: 110, 265 V

... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen ...

Strom: 95 A
Spannung: 40 V

RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.

Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V

... ermöglicht die Integration kompletter digitaler und analoger Steuer- und Schutzschaltungen, die einen vertikalen Leistungs-MOSFET ansteuern - alles auf demselben Chip. Bei den Low-Side-Schaltern mit ihren integrierten ...

Spannung: -400 V - 1.000 V

... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die ...

Spannung: 50 V

... Gehäuse mit zwei 3920 NPN-Transistoren ANWENDUNGEN: - Lastschaltung - Kleine Signalverstärkung - Lampen- und Relaistreiber - MOSFET-Gate-Treiber ...

Spannung: 20, 50 V

... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...

Strom: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Spannung: 60 V

Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Pegel- wandler, Treiberstufen Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform l) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien1