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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... Leiterplatten-Leistungsmanagement, wenn ein P-Kanal
MOSFET im DPAK-Gehäuse benötigt wird.
Technische Eigenschaften / Spezifikationen
- Bauteiltyp: P-Kanal Leistungs-MOSFET
- VDS
Infineon Technologies AG
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ermöglicht die Integration kompletter digitaler und analoger Steuer- und Schutzschaltungen, die einen vertikalen Leistungs- MOSFET ansteuern - alles auf demselben Chip. Bei den Low-Side-Schaltern mit ihren integrierten Zusatzfunktionen ...
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power- MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power- MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche ...
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
... RH6G040BG ist ein Leistungs- MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen. ...
ROHM Semiconductor
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs- MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen ...
Power Integrations
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal- MOSFET und NPN- Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage ...
Spannung: 50, 60, 7 V
... mit zwei 3920 NPN-Transistoren ANWENDUNGEN: - Schalten von Lasten - Kleinsignal-Verstärkung - Lampen- und Relaistreiber - MOSFET-Gate-Treiber ...
Strom: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Spannung: 60 V
... Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Pegel- wandler, Treiberstufen Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform l) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien1 ...
Diotec
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