Der RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und Hochleistungsgehäuse, der sich zum Schalten eignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines Gehäuse für hohe Leistung (HSMT8)
Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
Halogenfrei
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.