- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- ROHM Semiconductor
MOSFET-Transistormodul R6004JNXSchaltLeistung
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
Eigenschaften
- Typ
- MOSFET
- Technologie
- Schalt, Leistung
- Strom
4 A
- Spannung
600 V
Beschreibung
Der R6004JNX ist ein Leistungs-MOSFET mit schneller Sperrverzögerungszeit (trr), der für Schaltanwendungen geeignet ist.
PrestoMOS™ Serie, R60xxJNx Serie erhöht die Designflexibilität bei gleichzeitiger Beibehaltung der branchenweit schnellsten Reverse-Recovery-Zeit (trr), optimiert für EV-Ladestationen und Motorantriebe in Haushaltsgeräten wie Kühlschränken und Klimaanlagen (ACs).
Kataloge
Short Form Catalog
308 Seiten
Motor Drivers
36 Seiten
Verwandte Suchbegriffe
- Einpoliger Umschalter
- Technologie-Schalter
- Diode
- Transistormodul
- Leiterplatten-Widerstand
- Leistungswiderstand
- Diode / hohe Schaltgeschwindigkeit
- Diode für Oberflächenmontage
- Schalt-Transistormodul
- Feldeffekttransistor
- MOSFET-Transistormodul
- Dünnschichtwiderstand
- Bipolarer Transistor
- Dickschichtwiderstand
- Wandler IC / Leistung
- Diodenmodul
- Isolierter Wandler IC
- Hochleistungswiderstand
- Schneller Wandler IC
- Automobilschalter
* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.