Hochgeschwindigkeit-MOSFET R6038XNJ2

Hochspannungs-WiderstandSilizium

Kurzbeschreibung
Der R6038XNJ2 ist ein Super‑Junction N‑Kanal Leistungs‑MOSFET mit 600 V für Hochgeschwindigkeits‑Schaltanwendungen. Er bietet niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schalteigenschaften in einem kompakten TOLL‑SMD‑Gehäuse und richtet sich an Anwendungen mit hoher Leistungsdichte und begrenztem Bauraum, z. B. Netzteile für AI‑Server, Rechenzentren und Industrieanlagen. Die Gateschwelle VGS(th) liegt bei ca. 3–5 V und ermöglicht die Ansteuerung mit gängigen Treiberspannungen.

Eigenschaften

• Niedriger RDS(on) (Typ. 0,08 Ω bei VGS=10 V)
• Schnelle Schaltzeiten (trr Typ. 291 ns)
• Einfache Anforderungen an die Treiberschaltung (empfohlene Treiberspannung 10 V)
• Blei‑freier Überzug; RoHS‑konform
• Halogenfreie Formmasse

Anwendungsbeispiele

• Netzteile für AI‑Server und Rechenzentren
• Schaltnetzteile für Industrie‑ und Consumer‑Geräte (LLC, PFC, Flyback usw.)
• Motorantriebe und Wechselrichter für Lüfter, AC‑Servos und andere Motoranwendungen

Produktkennzahlen / Lieferinformationen
Teilenummer: R6038XNJ2TRDC
Status: Empfohlen
Gehäuse: TOLL (MO-299)
Verpackungsart: Taping
Stückzahl pro Einheit: 2000
Mindestgehäusemenge: 2000
RoHS: Ja
MSL: 1

Überblick / Entwicklungshinweise
Das Bauteil adressiert steigende Anforderungen an Leistung und Effizienz durch verringerte Leitungs‑ und Schaltverluste sowie verbesserte thermische Eigenschaften in einem marktüblichen SMD‑Footprint, was kompakte Layouts und Second‑Source‑Optionen erleichtert.

Spezifikationen

• Modell: R6038XNJ2
• Package Code: TOLL (MO-299)
• Anwendung: Schalten
• Anzahl Anschlüsse: 9
• Polarität: N‑Kanal
• Drain‑Source‑Spannung V(DSS): 600 V
• Drain‑Strom I(D): 114 A
• RDS(on) (Typ.) @ VGS=10 V: 0,08 Ω
• Totale Gate‑Ladung Qg: 48 nC
• Leistungsaufnahme PD: 348 W
• Empfohlene Treiberspannung: 10 V
• t_rr (Typ.): 291 ns
• Montage: Surface mount
• Lagerungstemperatur: -55 °C bis 150 °C
• Gehäuseabmessungen: 11,68 x 9,9 mm (t = 2,4 mm)