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Hochgeschwindigkeit-MOSFET R6049XNJ2
Hochspannungs-WiderstandSilizium

Hochgeschwindigkeit-MOSFET - R6049XNJ2 - ROHM Semiconductor - Hochspannungs-Widerstand / Silizium
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Eigenschaften

Merkmal
Hochgeschwindigkeit, Hochspannungs-Widerstand
Material
Silizium

Beschreibung

Produktüberblick
Leistungs-MOSFET Super Junction, N-Kanal, 600V, Hochgeschwindigkeits‑Schalttyp im flachen Surface‑Mount‑Gehäuse TOLL (MO-299). Niedriger RDS(on) und verbesserte Admittanz gegenüber der bisherigen R60xxYNx-Serie; Gate‑Schwellenspannung VGS(th) im üblichen Bereich 3–5V zur Unterstützung verschiedener Ansteuerbedingungen. Das Gehäuse hat eine marktübliche Footprint-Kompatibilität zur vereinfachten Ersetzung und Multi-Sourcing in bestehenden Netzteilen.

Entwicklungshintergrund
Steigende Verarbeitungsanforderungen in Rechenzentren und Industrieanwendungen führen zu erhöhter Nachfrage nach effizienteren Stromversorgungen, geringerer Wärmeentwicklung und höherer Leistungsdichte bei kleinerer Bauweise. Dieser MOSFET wurde entwickelt, um diese Anforderungen durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste sowie ein wärmeoptimiertes SMD-Gehäuse zu erfüllen und so kompakte, hochdichte Stromversorgungsdesigns zu ermöglichen.

Anwendungsbeispiele
  • Stromversorgungen für AI-Server und Rechenzentren
  • Stromversorgungen für Industrie- und Konsumgeräte (LLC, PFC, Flyback usw.)
  • Antriebe und Umrichter für Lüfter, AC-Servos und ähnliche Anwendungen

Eigenschaften
  • Niedriger Durchlasswiderstand (RDS(on))
  • Schnelles Schaltverhalten
  • Vereinfachte Ansteuerschaltungen
  • Blei‑freier Überzug; RoHS-konform
  • Halogenfreier Formmassenwerkstoff

Technische Spezifikationen
  • Teilenummer: R6049XNJ2TRDC
  • Handelsbezeichnung: R6049XNJ2
  • Gehäuse: TOLL (MO-299)
  • Verpackungsart: Taping
  • Stückzahl / Minimale Packungsmenge: 2000
  • RoHS: Yes
  • MSL: 1
  • Anwendungen: Switching
  • Anzahl der Anschlüsse: 9
  • Polarität: N-Kanal
  • Drain‑Source Spannung V DSS [V]: 600
  • Drainstrom ID [A]: 147
  • RDS(on) [Ω] (VGS=10V, Typ): 0,068
  • Gesamte Gate‑Ladung Qg [nC]: 58
  • Leistungsaufnahme (PD) [W]: 448
  • Ansteuerspannung [V]: 10
  • trr (Typ.) [ns]: 306
  • Montageart: Surface mount
  • Lagertemperatur (Min) [°C]: -55
  • Lagertemperatur (Max) [°C]: 150
  • Gehäuseabmessungen [mm]: 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

Kataloge

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