Hochspannungs-Widerstand-MOSFET R6020XNJ2

HochgeschwindigkeitSilizium

Produktübersicht
Der R6020XNJ2 ist ein Super-Junction-Leistungs-MOSFET für das Hochgeschwindigkeits-Schalten, 600 V, in einem flachen TOLL-SMD-Gehäuse. Er bietet niedrigen RDS(on) und verbesserte Admittanz gegenüber der konventionellen R60xxYNx-Serie, was in kompakten Leistungsanwendungen wie Netzteilen für AI-Server und Industrieausrüstung zu geringeren Leitungs- und Schaltverlusten führt. Die Gate-Schwellenspannung ist mit 3–5 V spezifiziert und unterstützt eine breite Palette von Treibbedingungen.

Hauptmerkmale

• Niedriger Einschaltwiderstand (typ. 0,154 Ω bei VGS=10 V)
• Schnelles Schaltverhalten, geeignet für HF-Wandler
• Einfache Treiberschaltungen möglich (typische Ansteuerung 10 V)
• Pb-freie Beschichtung; RoHS-konform
• Halogenfreies Formmassenmaterial

Anwendungen

• Netzteile für AI-Server und Rechenzentren
• Netzteile für Industrie- und Endkundenprodukte (LLC, PFC, Flyback usw.)
• Antriebe und Wechselrichter für Lüfter, AC-Servos und ähnliche Anwendungen

Gehäuse & Bestellinformationen
Teilenummer | R6020XNJ2TRDC
Status | Recommended
Gehäuse | TOLL (MO-299)
Verpackungsart | Taping
Stückzahl | 2000
Mindeststückzahl | 2000
RoHS | Yes
MSL | 1

Technische Daten

• Modell: R6020XNJ2
• Package-Code: TOLL (MO-299)
• Anwendung: Switching
• Anzahl der Anschlüsse: 9
• Polarität: N-channel
• Drain-Source-Spannung (VDS): 600 V
• Drainstrom (ID): 60 A
• RDS(on) (Typ) @ VGS=10 V: 0,154 Ω
• Totale Gate-Ladung Qg: 25 nC
• Leistungsaufnahme (PD): 182 W
• Ansteuerungsspannung (typ): 10 V
• trr (Typ.): 250 ns
• Montage: Surface mount
• Lagerungstemperaturbereich: -55 ℃ bis 150 ℃
• Gehäuseabmessung (mm): 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

Hinweis
Standard-Grade-Produkt; für detaillierte Bedingungen, thermische Hinweise und Anwendungsempfehlungen das Datenblatt beachten. Einsatz im Automotive-Bereich nicht empfohlen.