MOSFET-Transistormodul R6511ENJ
SchaltLeistunggeräuscharm

MOSFET-Transistormodul - R6511ENJ - ROHM Semiconductor - Schalt / Leistung / geräuscharm
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt, Leistung
Weitere Eigenschaften
geräuscharm
Strom

11 A

Spannung

650 V

Beschreibung

Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

Kataloge

Messen

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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