MOSFET-Transistormodul R6511ENJ
SchaltLeistunggeräuscharm

MOSFET-Transistormodul - R6511ENJ - ROHM Semiconductor - Schalt / Leistung / geräuscharm
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt, Leistung
Weitere Eigenschaften
geräuscharm
Strom

11 A

Spannung

650 V

Beschreibung

Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

Kataloge

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.