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Strom: -16,4 A
Spannung: -60 V
... Übersicht
- IPD900P06NM ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, ausgelegt für Schalt- und Leistungsmanagement-Anwendungen.
- Technologie: OptiMOS™
- Polarität: P (P-Kanal)
- Typisches Gehäuse: DPAK (TO-252)
Wichtige ...
Infineon Technologies AG
Strom: 0,4 A - 45 A
Spannung: 36 V - 70 V
... ST bietet eine breite Palette an intelligenten 3- und 5-poligen Low-Side-Schaltern (OMNIFET) für die Automobilindustrie an, die auf der VIPower-Technologie (Vertical Intelligent Power) basieren. Diese firmeneigene Technologie ermöglicht die Integration ...
Strom: 95 A
Spannung: 40 V
RH6G040BG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltanwendungen.
ROHM Semiconductor
Spannung: -400 V - 1.000 V
... Vishay ist der weltweit führende Hersteller von Low-Power-MOSFETs. Die Vishay Siliconix Power-MOSFET-Produktlinie umfasst Geräte in mehr als 30 Gehäusetypen, darunter die Chip-Skala MICRO FOOT® und die thermisch fortschrittliche PowerPAK®-Familie. Zu ...
Spannung: 110, 265 V
... Beschreibung: TOPSwitch-HX beinhaltet einen 700 V Leistungs-MOSFET, eine Hochspannungs-Schaltstromquelle, eine PWM-Steuerung, einen Oszillator, eine thermische Abschaltstufe, einen Fehlerschutz und andere Steuerschaltungen auf einem monolithischen Gerät. Geringere ...
... GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen. ...
... Avago verfügt über ein umfangreiches Portfolio an bipolaren Silizium-HF-Transistoren und GaAs-FETs Die GaAs FET-HF-Transistoren sind ideal für die erste oder zweite Stufe der Basisstation LNA aufgrund der hervorragenden Kombination aus niedrigem Rauschmaß ...
Spannung: 20, 50 V
... N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse Niedriger On-Widerstand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage Ultrakleines Oberflächenmontagegehäuse ...
... Hochstrom Dvice Sockel Hohe Temperatur ℃ 5.45mm Raster Rechtwinklig Geringe Ausgasung Dies ist ein Sockel, der einer Leiterplattenanordnung mit Höhenbeschränkungen entsprechen kann, indem das Gerät zur Seite gedreht wird. ● Unterstützt verschiedene ...
Spannung: 50, 60, 7 V
... Der CMKT3920 von Central Semiconductor (zwei einzelne NPN-Transistoren) ist eine Doppelkombination in einem platzsparenden SOT-363 ULTRAmini™-Gehäuse, die für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen mit kleinen Signalen entwickelt wurde. MARKING ...
Central Semiconductor
Strom: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Spannung: 60 V
... Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Pegel- wandler, Treiberstufen Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform l) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien1 ...
Diotec
Strom: 2 A
Spannung: 36 V
... Mit dem COM-MOSFET können Sie eine Spannung von bis zu 36 Volt steuern. Mit Hilfe von Pulsweitenmodulation kann auch die Effektivspannung gesenkt werden (z. B. zum Dimmen einer LED Beleuchtung). KOMPATIBEL MIT Arduino, Raspberry Pi, etc. KONTROLLSPANNUNG min. ...
... Mit extrem rauscharmem PHEMT. Der Prozess ist optimiert, um einen sehr niedrigen Rauschwert für kritische Mobilfunk-/PCS-Basisstationen und andere drahtlose HF-Anwendungen, eine hohe Teile-zu-Teil-Konsistenz und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit zu ...
Broadcom
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