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- Sumitomo Electric Ltd
RF-Transistormodul FETHEMTGaAs
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Eigenschaften
- Typ
- FET, HEMT
- Weitere Eigenschaften
- geräuscharm, GaAs, RF
Beschreibung
GaN-HEMTs, GaAs-FETs, MMICs und rauscharme HEMT-Lösungen bieten hohe Leistung und kompromisslose Zuverlässigkeit für Radar, Basisstationen, SATCOM, Punkt-zu-Punkt- und Raumfahrtanwendungen.
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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.