- Elektrotechnik - Elektronik
- Elektronisches Bauteil
- MOSFET-Transistor
- Diodes Incorporated
Bipolarer Transistor DMB seriesMOSFETSchalt
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Eigenschaften
- Typ
- bipolar, MOSFET
- Technologie
- Schalt
- Spannung
20 V, 50 V
Beschreibung
N-Kanal-MOSFET und NPN-Transistor in einem Gehäuse
Niedriger On-Widerstand
Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, 1,0V max
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Ultrakleines Oberflächenmontagegehäuse
Blei-, halogen- und antimonfrei, RoHS-konform (Hinweis 2)
ESD-geschütztes MOSFET-Gate bis zu 2kV
"Grünes" Gerät (Hinweis 3)
Qualifiziert nach AEC-Q101 Standards für hohe Zuverlässigkeit
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Kataloge
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