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MOSFET-Transistor IPD900P06NM
LeistungSchaltLawinen

MOSFET-Transistor - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt / Lawinen
MOSFET-Transistor - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt / Lawinen
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Lawinen, für die Fahrzeugtechnik
Strom

-16,4 A

Spannung

-60 V

Beschreibung

Übersicht
  • IPD900P06NM ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, ausgelegt für Schalt- und Leistungsmanagement-Anwendungen.
  • Technologie: OptiMOS™
  • Polarität: P (P-Kanal)
  • Typisches Gehäuse: DPAK (TO-252)


Wichtige elektrische Parameter
  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDS max): -60 V
  • Maximaler Einschaltwiderstand (RDS(on) max): 90 mΩ


Produktkennzeichen und Klassifizierung
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Hersteller-Teilenummer (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
  • Bestellnummer (OPN): IPD900P06NMATMA1
  • ISPN ID: 23206
  • SP Number: SP004987258
  • Familie: P-Channel
  • Produktstatus: active


Typische Gehäuseinformationen
  • Gehäuse: DPAK (TO-252)


Anwendungen & Positionierung
  • Geeignet für P-Kanal-Schaltfunktionen, Lastschaltung und Leiterplatten-Leistungsmanagement, wenn ein P-Kanal MOSFET im DPAK-Gehäuse benötigt wird.


Technische Eigenschaften / Spezifikationen
  • Bauteiltyp: P-Kanal Leistungs-MOSFET
  • VDS (max): -60 V
  • RDS(on) (max): 90 mΩ
  • Gehäuse: DPAK (TO-252)
  • Technologie: OptiMOS™
  • Polarität: P

Kataloge

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Seiten

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.