MOSFET-Transistor IPD900P06NM
LeistungSchaltLawinen

MOSFET-Transistor - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - Leistung / Schalt / Lawinen
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Lawinen, für die Fahrzeugtechnik
Strom

-16,4 A

Spannung

-60 V

Beschreibung

Übersicht
  • IPD900P06NM ist ein P-Kanal Leistungs-MOSFET, ausgelegt für Schalt- und Leistungsmanagement-Anwendungen.
  • Technologie: OptiMOS™
  • Polarität: P (P-Kanal)
  • Typisches Gehäuse: DPAK (TO-252)


Wichtige elektrische Parameter
  • Maximale Drain-Source-Spannung (VDS max): -60 V
  • Maximaler Einschaltwiderstand (RDS(on) max): 90 mΩ


Produktkennzeichen und Klassifizierung
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Hersteller-Teilenummer (MPN) / ISPN: IPD900P06NM
  • Bestellnummer (OPN): IPD900P06NMATMA1
  • ISPN ID: 23206
  • SP Number: SP004987258
  • Familie: P-Channel
  • Produktstatus: active


Typische Gehäuseinformationen
  • Gehäuse: DPAK (TO-252)


Anwendungen & Positionierung
  • Geeignet für P-Kanal-Schaltfunktionen, Lastschaltung und Leiterplatten-Leistungsmanagement, wenn ein P-Kanal MOSFET im DPAK-Gehäuse benötigt wird.


Technische Eigenschaften / Spezifikationen
  • Bauteiltyp: P-Kanal Leistungs-MOSFET
  • VDS (max): -60 V
  • RDS(on) (max): 90 mΩ
  • Gehäuse: DPAK (TO-252)
  • Technologie: OptiMOS™
  • Polarität: P

Kataloge

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Seiten

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