MOSFET-Transistor IPD25DP06NM
LeistungSchaltLawinen

MOSFET-Transistor
MOSFET-Transistor
Zu meinen Favoriten hinzufügen
Zum Produktvergleich hinzufügen
 

Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Weitere Eigenschaften
Lawinen
Strom

-6,5 A

Spannung

-60 V

Beschreibung

OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs 60V im DPAK-Gehäuse sind die neue Technologie für Batteriemanagement-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Bauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch. Die einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Avalanche-Robustheit machen ihn für anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist mit normalem und logischem Pegel erhältlich und verfügt über einen breiten RDS(on)-Bereich und verbessert die Effizienz bei niedrigen Lasten aufgrund des niedrigen Qg. Zusammenfassung der Merkmale: Großer RDS(on)-Bereich Verfügbarkeit von Normalpegel und Logikpegel Vorteile: Einfache Schnittstelle zur MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten durch niedriges Qg Schnelles Schalten Avalanche-Robustheit Mögliche Anwendungen Batterie Verbraucher Industrielle Automatisierung Industrielle Antriebe

---

Kataloge

Für dieses Produkt ist kein Katalog verfügbar.

Alle Kataloge von Infineon Technologies AG anzeigen

Weitere Produkte von Infineon Technologies AG

Power MOSFET

* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.