MOSFET-Transistor ISP12DP06NM

LeistungSchaltLawinen

OptiMOS™ P-Kanal 60V-MOSFETs im SOT-223-Gehäuse eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement sowie Verpolungsschutzanwendungen. Der Hauptvorteil der OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs ist die Vereinfachung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung. Durch die einfache Schnittstelle zur Microcontroller Unit (MCU), das schnelle Schalten und die Avalanche-Robustheit eignen sich die OptiMOS™ P-Kanal-MOSFETs von Infineon für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Qualitätsanforderungen. Die Produkte verbessern den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund ihres niedrigen Qg. und sind in normaler und logischer Ausführung mit einem breiten RDS(on)-Bereich erhältlich. Zusammenfassung der Merkmale: Breiter RDS(on)-Bereich Verfügbarkeit auf Logikniveau Vorteile: Einfache Schnittstelle zur MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten durch niedriges Qg Schnelles Schalten Avalanche-Robustheit Ziel-Anwendungen: Batterie Verbraucher Industrielle Automatisierung Industrielle Antriebe