MOSFET-Transistor IPA60R160P7

LeistungSchalt

Der 600V CoolMOS™ P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600V CoolMOS™ P6 Serie. Die Notwendigkeit einer hohen Effizienz wird weiterhin mit der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess in Einklang gebracht. Das branchenführende RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform CoolMOS™ der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad. Zusammenfassung der Features: Effizienz 600V P7 ermöglicht hervorragende FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG Benutzerfreundlichkeit Integrierte ESD-Diode ab 180mN und höher RDS(on)s Integrierter Gate-Widerstand RG Robuste Gehäuse-Diode Breites Portfolio an Durchgangsloch- und Oberflächenmontagegehäusen Es sind sowohl Standard- als auch Industrieteile erhältlich Vorteile: Effizienz Hervorragende FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss ermöglichen höhere Effizienz Benutzerfreundlichkeit Benutzerfreundlichkeit in Produktionsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Ausfällen Integriertes RG reduziert die Empfindlichkeit von MOSFET-Schwingungen MOSFET ist sowohl für harte als auch für resonante Schaltungstopologien wie PFC und LLC geeignet Hervorragende Robustheit bei der harten Kommutierung der Körperdiode in der LLC-Topologie Geeignet für eine Vielzahl von Endanwendungen und Ausgangsleistungen Verfügbare Teile geeignet für Verbraucher- und Industrieanwendungen