MOSFET-Transistor BSS84I

LeistungSchaltLawinen

OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Anwendungen zum Schutz vor Verpolung. Der Hauptvorteil der OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs liegt in der vereinfachten Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung. Dank der einfachen Anbindung an die Mikrocontroller-Einheit (MCU), der schnellen Schaltgeschwindigkeit und der Avalanche-Festigkeit eignen sich die OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs von Infineon für Anwendungen, die hohe Qualität erfordern. Merkmale 100 % Avalanche-geprüft Logikpegel Bleifreie Anschlüsse; RoHS-konform Für industrielle Anwendungen qualifiziert Vorteile Einfache Anbindung an die MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei geringer Last Schnelles Schalten Avalanche-Festigkeit Klassenbeste Qualität und Zuverlässigkeit Zusammenfassung der Merkmale: Breiter RDS(on)-Bereich Verfügbar in Normal- und Logikpegel Vorteile: Einfache Anbindung an die MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten dank niedrigem Qg Schnelles Schalten Avalanche-Festigkeit Zielanwendungen: Batterie Unterhaltungselektronik Industrielle Automatisierung Industrielle Antriebe