MOSFET-Transistor IPW60R024P7
LeistungSchalt

MOSFET-Transistor
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung, Schalt
Strom

101 A

Spannung

600 V

Beschreibung

Der CoolMOS™ P7 Superjunction-MOSFET ist der Nachfolger der CoolMOS™ P6-Serie. Er bietet weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hoher Effizienz und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der klassenbeste RonxA-Wert und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS™-Plattform der siebten Generation gewährleisten eine hohe Effizienz. Zusammenfassung der Merkmale: Wirkungsgrad P7 ermöglicht hervorragende FOM RDS(on)xEoss und RDS(on)xQG Benutzerfreundlichkeit Integrierte ESD-Diode ab 180mN und mehr RDS(on)s Integrierter Gate-Widerstand RG Robuste Body-Diode Breites Portfolio an Gehäusen für Durchsteck- und Oberflächenmontage Sowohl Standard- als auch Industriequalität sind verfügbar Vorteile: Wirkungsgrad Exzellente FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss ermöglichen höhere Effizienz Benutzerfreundlichkeit Einfacher Einsatz in Fertigungsumgebungen durch Vermeidung von ESD-Fehlern Integriertes RG reduziert die MOSFET-Schwingungsempfindlichkeit MOSFET eignet sich sowohl für harte als auch für resonante Schalttopologien wie PFC und LLC Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung der Body-Diode in der LLC-Topologie Geeignet für eine breite Palette von Endanwendungen und Ausgangsleistungen Verfügbare Teile für Verbraucher- und Industrieanwendungen Mögliche Anwendungen TV-Stromversorgung Industrielle SMPS Server Telekommunikation Beleuchtung

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.