MOSFET-Transistor BSC112N06LD
Leistung

MOSFET-Transistor
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Leistung
Strom

57 A

Spannung

60 V

Beschreibung

Vorteile: Dual Super SO8-Gehäuse für hohe Leistungsdichte (kleinste Grundfläche) Hervorragende thermische Beständigkeit Hohe Betriebstemperatur von bis zu 175°C Hohe Durchschusssicherheit durch Qgd/Qgs<0,8 Pb-freie Beschichtung, RoHS-konform Mögliche Anwendungen SMPS Induktives drahtloses Laden Lastschalter Batterie-Management-Systeme LV-Antriebe

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* Die Preise verstehen sich ohne MwSt., Versandkosten und Zollgebühren. Eventuelle Zusatzkosten für Installation oder Inbetriebnahme sind nicht enthalten. Es handelt sich um unverbindliche Preisangaben, die je nach Land, Kurs der Rohstoffe und Wechselkurs schwanken können.