MOSFET-Transistor BSP171I

LeistungSchaltLawinen

P-Kanal-Leistungs-MOSFET in Industriequalität im SOT223-Gehäuse, der die Komplexität des Designs in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung reduziert OptiMOS™ P-Kanal-Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für Lastschalter, Batteriemanagement und Anwendungen zum Schutz vor Verpolung. Der Hauptvorteil der OptiMOS™-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs liegt in der vereinfachten Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistung. Dank ihrer einfachen Anbindung an Mikrocontroller (MCU), ihrer schnellen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Avalanche-Festigkeit eignen sich die OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs von Infineon für Anwendungen, die hohe Qualität erfordern. Merkmale Geringer Durchlasswiderstand Zu 100 % auf Avalanche-Festigkeit geprüft Logikpegel Bleifreie Beschichtung; RoHS-konform Für industrielle Anwendungen qualifiziert Vorteile Einfache Anbindung an die MCU Verbesserter Wirkungsgrad bei geringer Last Schnelles Schalten Avalanche-Festigkeit Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit