MOSFET-Transistor ISC151N20NM6

LeistungSchaltAudio

Der ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V setzt neue technologische Maßstäbe. Er erfüllt die Anforderungen an hohe Leistungsdichte, hohen Wirkungsgrad und hohe Zuverlässigkeit. Die OptiMOS™ 6 200 V-Technologie wurde für optimale Leistung in Motorantriebsanwendungen wie LEV, Gabelstaplern und Drohnen entwickelt. Dank des branchenführenden RDS(on), des verbesserten Schaltverhaltens und der optimierten Stromverteilung ermöglicht der neue OptiMOS™ 6 eine höhere Leistungsdichte, weniger Parallelschaltungen und ein besseres EMI-Verhalten. Das verbesserte Schaltverhalten macht ihn zudem zur idealen Wahl für jede Art von Schaltanwendung, wie z. B. Telekommunikation, Server, Solar oder Audio. Darüber hinaus ist er durch die Kombination aus großem SOA und branchenführendem RDS(on) perfekt für statische Schaltanwendungen wie BMS geeignet. Merkmale 42 % niedrigerer RDS(on) Hervorragendes EMI- und Schaltverhalten dank: 45 % niedrigerem QRR (typ.) 42 % niedrigerem QOSS (typ.) Mehr als dreimal sanfterer Diode Verbesserter Kapazitätslinearität Engem VGS(th) und niedriger Transkonduktanz für einfache Parallelschaltung Verbesserte SOA zur Erhöhung der Robustheit Vorteile Geringe Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Stabiler Betrieb mit verbesserter EMI Geringerer Parallelisierungsbedarf Bessere Stromverteilung bei Parallelschaltung RoHS-konform, bleifrei Einstufung als MSL 1 gemäß J-STD-020