MOSFET-Transistormodul RS1E321GN
SchaltLeistung

MOSFET-Transistormodul - RS1E321GN - ROHM Semiconductor - Schalt / Leistung
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Eigenschaften

Typ
MOSFET
Technologie
Schalt, Leistung
Strom

80 A

Spannung

30 V

Beschreibung

Der RS1E321GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.

Kataloge

Messen

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 Nov. 2026 Munich (Deutschland) Halle C3 - Stand 520

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